长鑫科技(688825)：AI浪潮带动需求爆发 国产DRAM龙头乘势而起

投资逻辑：1、AI算力建设浪潮带动服务器 DRAM 需求端爆发式增长，供给端新产能扩产周期较长，HBM及高容量服务器产品占用晶圆资源，行业供给弹性有限。需求爆发叠加供给刚性，存储价格端持续上行，DRAM 迎来超级成长周期。2、长鑫科技是国产DRAM龙头，公司2025Q4 按销售额统计的全球DRAM市场份额达到7.67%，位居全球第四、中国第一，将充分受益于本轮存储大周期。公司2026H1 实现营业收入1503.10 亿元，归母净利润776.05 亿元，业绩实现爆发式增长。3、展望未来，公司上市募资积极扩产，并推动高代际产品迭代，逐步缩小与海外龙头的制程差距，通过积极布局中高端产品抢占国内市场，国产替代空间广阔，长期成长路径清晰。


　　行业情况：AI 浪潮拉动DRAM需求大爆发，长鑫份额有望持续提升。1、AI服务器需求增长带动DRAM市场扩容。Omdia预计全球DRAM市场规模将由2025年的1505 亿美元增长至2030 年的5710 亿美元，2025-2030 年复合增速约30.56%；同期服务器DRAM 需求占比预计由约50.00%提升至71.00%，成为行业需求增长的核心来源。2、高壁垒铸就寡头垄断格局，长鑫份额有望持续提升。2026Q1 三星、SK 海力士、美光合计占全球DRAM 销售额合计90%，呈现出显著的寡头竞争格局。由于扩产较慢叠加晶圆及先进工艺资源向HBM和高容量服务器产品倾斜，标准型DRAM供给受到结构性约束，供需处在较为紧张的态势。3、国内需求规模庞大，国产替代空间广阔。2024 年中国DRAM市场规模约250 亿美元，占全球市场超过四分之一，但本土品牌产品自给率仍较低；伴随着长鑫的全面崛起，国产替代趋势明确。


　　公司优势：技术迭代与产品升级协同，规模制造支撑商业化。1、持续研发投入支撑工艺平台迭代。公司采取跳代研发策略，已完成从第一代至第四代工艺技术平台的量产及升级，第五代平台处于客户认证阶段。2023-2026H1 研发投入累计约274.65 亿元，形成持续的技术和产品储备。2、高代际产品覆盖主要应用市场。公司已形成DDR5、LPDDR5/5X、LPDDR6 等高代际产品体系，以及RDIMM、MRDIMM等多类型服务器模组，覆盖移动设备、服务器和个人电脑等市场，并持续向高容量、高性能规格延伸。3、公司拥有三座12 英寸DRAM晶圆厂，自主掌握芯片设计、晶圆制造及晶圆测试等核心前道环节，并已进入头部终端客户供应链。随着产线利用率提升、产品单位成本下降，规模效应持续释放。


　　盈利预测：预计公司2026-2028 年公司归母净利润分别为1916 亿元、3319 亿元和4299 亿元，对应PE 分别为20 倍、12 倍、9倍。长鑫科技是国产DRAM龙头，将充分受益于本轮存储大周期。


　　风险提示：DRAM价格大幅波动风险；AI 及服务器需求不及预期风险；技术研发及客户认证不及预期风险；产能扩张与折旧压力风险。

□.胡.杨./.王.书.龙    .西.南.证.券.股.份.有.限.公.司