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| 拓荆科技(688072)经营总结 | | 截止日期 | 2025-06-30 | | 信息来源 | 2025年中期报告 | | 经营情况 | 二、经营情况的讨论与分析
报告期内，公司面向国内集成电路芯片制造技术的迭代创新和快速发展需求，充分发挥公司在产品方面的技术创新迭代快、性能优异、覆盖面广、量产规模大等竞争优势，以及在研发团队、技术储备、客户资源及售后服务等方面的深厚积淀，坚持以创新驱动业务发展，持续保持新产品、新工艺及新技术的研发和投入，增强公司产品的市场竞争力，不断扩大公司产品在先进技术领域的工艺覆盖面。同时，持续强化公司运营管理，促进公司高质量、稳健、快速的发展，在经营业绩、产品研发、市场销售、人才团队等诸多方面取得了优异成果，进一步促进公司综合实力的提升。
1、主要经营情况
报告期内，公司不断突破核心技术，加快推进各系列产品的创新迭代与产业化应用，并取得了重要成果，产品市场竞争力持续增强，同时，受益于近年国内下游晶圆制造厂对国内半导体设备的需求增加，营业收入维持高增长趋势。2025年上半年度，公司实现营业收入195,414.62万元，同比增长54.25%；实现归属于上市公司股东的净利润9,428.80万元，同比下降26.96%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润3,818.77万元，同比增长91.35%。
截至2025年6月30日，公司总资产1,755,366.06万元，较2024年年末增长14.62%；归属于上市公司股东的净资产541,194.65万元，较2024年年末增长2.50%。公司资产质量良好，财务状况稳健。
2、公司产品研发及产业化进展情况
报告期内，公司积极把握半导体设备国产替代的战略机遇，通过高强度的研发投入，保持薄膜沉积设备和三维集成设备的技术领先优势，同时，在先进制程应用的新产品、新工艺、高产能设备产品的验证及产业化应用等方面均取得了突出成果，产品成熟度及性能优势获得客户广泛认可，市场渗透率进一步提升，收入持续高速增长。报告期内的研发投入金额达到34,917.71万元，同比增长11.09%，研发投入占营业收入比例为17.87%。
在薄膜沉积设备方面，公司进一步扩大以PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD以及FlowableCVD为主的薄膜沉积设备工艺覆盖面。报告期内，基于新型设备平台（PF-300TPlus和PF-300M）和新型反应腔（pX和Supra-D）的PECVDStack（ONO叠层）、ACHM、Lok-II及PECVDBianca等先进工艺设备陆续通过客户验收，量产规模不断扩大；应用于先进存储领域的PECVDOPN、SiB等先进工艺设备持续获得订单，已出货多台至客户端验证；公司目前已实现对PECVDACHM、a-Si、SiB、高温SiN等多款硬掩模工艺的全面覆盖，且这些工艺在先进制程中应用广泛，公司是国内集成电路领域硬掩模工艺覆盖最全面的设备厂商；基于具有业界领先坪效比和最低拥有成本（COO）的平台VS-300T开发的PE-ALD设备持续获得客户订单，PE-ALDSiO和PE-ALDSiCO2
多台通过客户验证，不断扩大量产规模，公司已实现PE-ALD介质薄膜材料的全面覆盖；Thermal-ALDTiN持续获得客户订单，出货量不断扩大；公司是集成电路领域国产ALD设备薄膜工艺覆盖率第一的设备厂商，公司ALD产品在存储芯片、逻辑芯片制造领域量产规模快速攀升。截至报告期末，公司推出的PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及FlowableCVD薄膜设备可以支撑逻辑芯片、存储芯片中所需的全部介质薄膜材料的约100多种工艺应用。在应用于三维集成领域的先进键合设备及配套量检测设备方面，报告期内，公司晶圆对晶圆混合键合设备获得重复订单，同时，公司研发的新一代高速高精度晶圆对晶圆混合键合产品已发货至客户端验证。目前公司产品已出货至先进存储、逻辑、图像传感器等客户，公司致力于为三维集成领域提供全面的技术解决方案。随着芯片技术的迭代升级，公司先进产品和量产规模不断攀升，截至本报告披露日，公司累计出货超过3,000个反应腔（包括超过340个新型反应腔pX和Supra-D），进入超过70条生产线。
报告期内，公司薄膜沉积设备在客户端产线生产运行稳定性表现优异，平均机台稳定运行时间（Uptime）超过90%（达到国际同类设备水平）。公司薄膜沉积设备系列产品在晶圆制造产线的量产应用规模持续扩大，截至本报告期末，公司薄膜沉积设备在客户端产线生产产品的累计流片量已突破3.43亿片。
PECVD设备是公司核心产品，也是芯片制造的核心设备之一，其主要功能是将硅片控制到预定温度后，使用射频电磁波作为能量源在硅片上方形成低温等离子体，通入适当的化学气体，在等离子体的激活下，经一系列化学反应在硅片表面形成固态薄膜。相比传统的CVD设备，PECVD设备在相对较低的反应温度下形成高致密度、高性能薄膜，不破坏已有薄膜和已形成的底层电路，实现更快的薄膜沉积速度，是芯片制造薄膜沉积工艺中运用最广泛的设备种类。
公司自成立就开始研制PECVD设备，在PECVD设备技术领域具有十余年的研发和产业化经验，并形成了覆盖全系列PECVD薄膜材料的设备，主要包括PECVD产品和UVCure产品：
产品系列 产品类型 主要产品型号 主要薄膜工艺
PECVD PECVD PF-300T SiO、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、BPSG、PSG等通用介质薄膜材料，以及LoK-I、LoK-Ⅱ、ACHM、ADC-Ⅰ、ADC-Ⅱ、HTN、a-Si、Stack（ONO叠层）、OPN、SiB等先进介质薄膜材料PF-300TeXPF-300TPluseXPF-300TPluspXPF-300TPlusSupra-DPF-300MSupra-D料NF-300H ThickTEOS、Ultra-thickUSG等较厚的介质薄膜材料NF-300MSupra-H Stack（ONO叠层）介质材料薄膜PF-150T型功率器件领域）UVCure PF-300TUpsilon HTN、LoK-Ⅱ等薄膜材料的固化和性能优化后处理1 PECVD产品PECVD设备作为公司的主打产品，已实现全系列PECVD介质薄膜材料的覆盖，通用介质薄膜材料（包括SiO、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、BPSG、PSG等）和先进介质薄膜材料（包2括ACHM、LoK-Ⅰ、LoK-Ⅱ、ADC-Ⅰ、ADC-Ⅱ、HTN、a-Si、Stack等）均广泛应用于国内集成电路制造产线。报告期内，公司PECVD设备以良好的稳定性、高产能及优异的薄膜工艺指标等特点持续保持竞争优势，获得客户复购和批量订单，不断扩大量产规模。公司面向先进存储领域自主研发的PECVDSupra-DOPN、SiB、高温SiN等工艺设备持续获得订单，已出货多台至客户端验证，关键性能指标已达到客户的技术要求。PECVDSupra-DOPN设备可沉积氧化硅掺杂多晶硅、氮化硅薄膜，主要作为3DNAND顶部选择栅极，形成存储单元的基本导电通路，能够实现对特定垂直存储串的精确选择和控制，同时，能够通过调控垂直沟道中的电流实现信号管理。PECVDSupra-DSiB和高温SiN设备可以沉积高性能的硬掩模，其中，SiB薄膜具有显著提升的刻蚀选择比，可有效降低硬掩模层厚度，同时实现优异的刻蚀均匀性，大幅简化图形转移的工艺难度，主要应用于集成电路制造的高深宽比结构图形转移工艺；高温SiN薄膜与低温沉积SiN薄膜相比，不仅具有更高的薄膜密度，还具备比较宽泛的应力调整区间，很大程度上兼容薄膜对密度和应力的双重需求，具备更高的刻蚀选择性，主要应用于DRAM的硬掩模中刻蚀选择比需求较高的工艺。公司基于新型设备平台（PF-300TPlus和PF-300M）和新型反应腔（pX和Supra-D）研发的PECVDStack（ONO叠层）、ACHM等先进工艺设备实现了大量出货，并陆续通过客户验证，满足客户先进制程对高产能及更严格的薄膜性能指标的需求。截至本报告披露日，累计超过340个反应腔出货至客户端。公司PECVDBianca工艺设备持续获得客户多台复购订单，该设备为晶圆背面薄膜沉积设备，主要应用于集成电路制造过程中对晶圆翘曲的纠正以及晶圆背面保护。该设备可以实现在不使用翻片工艺、不使用去边工艺的情况下对晶圆背面进行薄膜沉积，减少集成电路制造的工艺步骤，降低客户成本。截至报告期末,累计超过60个PECVDBianca工艺设备反应腔出货至客户端，量产规模不断扩大。公司NF-300H型号是高产能PECVD设备，可以搭载3个6站反应腔，每次可以同时最多处理18片晶圆。该设备已实现产业化应用，可以沉积超厚TEOS等介质材料薄膜，在三维集成领域具有广泛应用前景，报告期内持续出货并扩大量产规模。公司开发的更高产能的设备平台NF-300M及反应腔Supra-H，可以搭载4个6站反应腔，每次可以同时处理24片晶圆。截至本报告披露日，NF-300MSupra-H设备已完成样机研发和制造，正在进行薄膜工艺调试。该设备可以沉积多层Stack（ONO叠层）介质材料薄膜，实现高均匀性和多种薄膜工艺集成，满足先进存储芯片制造领域最先进的生产需求。②UVCure产品UVCure设备主要用于薄膜紫外线固化处理，该工序通过对薄膜进行后处理，有效改善薄膜性能，提升薄膜应力、硬度等关键性能指标。公司UVCure设备与PECVD设备成套使用，为PECVDHTN、Lok-Ⅱ等薄膜沉积进行紫外线固化处理。公司UVCure（HTN、Lok-Ⅱ工艺）均已实现产业化应用，报告期内持续获得客户的订单、出货，扩大量产应用规模。
（2）ALD系列产品研发及产业化进展情况
ALD设备是一种可以将反应材料以单原子膜形式通过循环反应逐层沉积在硅片表面，形成对复杂形貌的基底表面全覆盖成膜的专用设备。由于ALD设备可以实现高深宽比、极窄沟槽开口的优异台阶覆盖率及精确薄膜厚度控制，实现了芯片制造工艺中关键尺寸的精度控制，在结构复杂、薄膜厚度要求精准的先进逻辑芯片、存储芯片制造中，ALD是必不可少的核心设备之一。
PE-ALD是利用等离子体增强反应活性，提高反应速率，具有相对较快的薄膜沉积速度、较低的沉积温度等特点，适用于沉积硅基介质薄膜材料。
报告期内，基于具有业界领先坪效比和最低拥有成本（COO）的平台VS-300T开发的PE-ALD设备持续获得多台客户订单，在客户端验证进展顺利，该设备可应用于先进逻辑芯片和存储芯片中的双重/多重曝光图形转移，以及先进封装TSV隔离层等，具有优异的片内均匀性等关键指标。
基于PF-300T和高产能平台NF-300H开发的PE-ALDSiO2及PE-ALDSiCO持续出货，且多台设备通过客户验证，公司PE-ALD产品在存储芯片、逻辑芯片制造领域量产规模快速攀升。
截至报告期末，公司PE-ALD设备高温、低温、高质量SiO2、SiN、SiCO等介质薄膜工艺设备均已实现产业化应用，并逐步扩大量产规模，凭借其优异的性能表现，目前在芯片填孔(Gap-fill)、侧墙（Spacer）、衬垫层（Liner）等工艺中已实现广泛的应用。
②Thermal-ALD产品
Thermal-ALD是利用热能使反应物分子吸附在基底表面，再进行化学反应，生成薄膜，具有相对较高的反应温度、优越的台阶覆盖率、高薄膜质量等特点，适用于金属、金属氧化物、金属氮化物等薄膜沉积。
公司Thermal-ALD设备已实现产业化应用。报告期内，公司Thermal-ALDTiN持续获得客户订单，出货量不断扩大，目前已覆盖先进逻辑、先进封装客户，验证进展顺利。Thermal-ALDAlO、2 3
AlN等工艺设备在不同客户端验证进展顺利，此外，公司持续稳步拓展Thermal-ALD其他薄膜工艺，扩大金属及金属化合物等先进薄膜材料应用。
（3）SACVD系列产品研发及产业化进展情况
SACVD设备主要应用于深宽比小于7:1的沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备之一。
在集成电路结构中，沟槽孔洞的深宽比越来越大，SACVD反应腔环境具有特有的高温（400℃-550℃）、高压（30-600Torr）环境，具有快速优越的填孔能力。
报告期内，公司SACVD系列产品持续保持产品竞争优势，持续获得客户订单并出货，进一步扩大量产应用规模，同时，推出的等离子体增强SAF薄膜工艺设备在客户端验证进展顺利，关键技术指标已达到客户要求。
（4）HDPCVD系列产品研发及产业化进展情况
HDPCVD设备主要应用于深宽比小于5:1的沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备之一。
HDPCVD设备可以同时进行薄膜沉积和溅射，所沉积的薄膜致密度更高，杂质含量更低。
报告期内，公司HDPCVD持续获得客户订单并出货，不断扩大量产规模。截至报告期末，公司HDPCVDUSG、FSG、STI薄膜工艺设备均已实现产业化，并持续扩大量产规模。
（5）FlowableCVD系列产品研发及产业化进展情况
FlowableCVD设备可实现对高深宽比沟槽结构的无孔洞填充，是集成电路制造的重要设备之一。FlowableCVD设备可以在晶圆表面沉积高品质的介电薄膜材料，经过固化及氧化等处理工艺后，达到完全填充间隙而不会留下孔洞和缝隙的效果。
FlowableCVD PF-300TFlora SiO2等介质薄膜材料。
截至报告期末，公司自主研发的FlowableCVD产品已有多台通过客户验证，实现了产业化应用。
（6）三维集成领域系列产品研发及产业化进展情况
三维集成是实现芯片高密度互连、三维堆叠及系统级集成的关键制造环节，正在成为半导体行业发展的重要趋势。先进键合设备主要应用于芯片或晶圆堆叠，通过对芯片或晶圆进行等离子活化、清洗、对准、键合、量测等一系列工艺处理和精准控制，实现芯片或晶圆的垂直堆叠架构，可有效提升芯片间的通信带宽及芯片系统性能，键合精度可达百纳米级，是三维集成领域中最重要的设备之一。
①晶圆对晶圆混合键合产品
晶圆对晶圆键合产品可以在常温下实现复杂的12英寸晶圆对晶圆多材料表面的键合工艺。公司晶圆对晶圆混合键合产品Dione300是公司最早推出的混合键合产品，已实现产业化，可实现百纳米级晶圆混合键合，其关键技术指标、产能指标与设备开机率均达到国际同类产品量产水平。
报告期内，该产品持续获得不同客户订单并出货。
报告期内，公司研发了新一代高速高精度晶圆对晶圆混合键合产品Dione300eX，该产品采用更先进的对准技术，拥有更高的对准精度、键合精度和设备产能，已出货至客户端验证。
②晶圆对晶圆熔融键合产品
晶圆级熔融键合设备可高效实现非电气连接的晶圆间键合，将两个平整的晶圆自然连接键合，其特点是晶圆在清洗后进行亲水性加工，相互接触并在高温下退火，晶圆在室温下接合。
公司研制的晶圆对晶圆熔融键合产品Dione300F，可实现载片晶圆和器件晶圆低应力熔融键合，具备优异的产能表现，该产品已获得客户订单。
③芯片对晶圆键合前表面预处理产品
芯片对晶圆的键合工艺分为预处理和键合两道工序，芯片对晶圆键合表面预处理产品可以实现芯片对晶圆键合前表面预处理工序。公司推出的芯片对晶圆键合前表面预处理产品Propus已实现产业化，可以在芯片对晶圆混合键合前实现晶圆及切割好的芯片的表面活化和清洗，具备高产能的特点。报告期内，该产品持续获得客户重复订单。④芯片对晶圆混合键合产品芯片对晶圆混合键合相较晶圆对晶圆键合具有更高的芯片集成度和灵活性，该设备的关键技术是在晶圆对晶圆混合键合的基础上，还需实现芯片的高精度选取和放置技术，主要应用于高带宽存储器（HBM）、芯片三维集成领域。公司研制的芯片对晶圆混合键合产品Pleione，可以实现芯片顺序拾取并精准键合到晶圆上，精度可达百纳米级，具有高精度、高产能、低污染的特点。截至本报告期末，该产品已获得客户订单并出货，验证进展顺利。⑤键合套准精度量测产品键合套准精度量测产品是混合键合技术领域重要的键合精度量测设备。该设备主要采用红外光学技术原理实现量测功能。公司自主研发的键合套准精度量测产品Crux300可以实现混合键合后的键合精度量测，具有超高精度、超高产能和无盲区量测三大特点，并有效兼容晶圆对晶圆和芯片对晶圆混合键合量测场景。该产品已通过客户验证，实现产业化应用。⑥键合强度检测产品键合强度检测设备主要应用于晶圆对晶圆键合强度检测。公司根据客户需求，研制了键合强度检测产品Ascella300，可以实现晶圆键合后的强度检测。该产品已通过客户验证，实现产业化应用。⑦永久键合后晶圆激光剥离产品永久键合后晶圆激光剥离产品主要应用于需要进行特定层转移场景或薄晶圆背面加工的场景，例如垂直架构DRAM和先进逻辑芯片中，实现永久键合后晶圆剥离。晶圆激光剥离技术能有效克服临时键合技术中有机胶残留和耐温性差的问题，帮助客户有效优化工艺成本和前道兼容性。报告期内，公司已完成该产品的研制。
3、供应链保障方面
公司已建立稳定的供应链体系，确保供应链安全与运营连续性，主要如下：（1）建立多元化供应商体系
公司目前已经建立全球化的供应商网络，关键零部件采用“多源采购”模式，避免单一供应商依赖。此外，公司与核心供应商签订长期合作协议，锁定产能并享受优先供应，同时，定期评估供应商的交付能力，保证关键部件的及时稳定供应。
（2）战略库存与弹性备货
公司根据市场供需波动动态调整安全库存水平，对交期长的部件保持3-6个月的战略储备。
（3）创新保障与协同研发
公司持续完善供应商支持与绩效考核机制，通过组织培训、现场稽核等方式，促进供应商产品质量与产品性能的不断提升。同时，公司通过召开合作伙伴大会等方式加强与供应商的互动交流，激发创新性解决方案，进一步推动与供应商新产品的开发、新技术的合作，促进公司设备先进性、可靠性的提升。
（4）合规与可持续发展
公司严格遵守国际出口管制相关法规，确保供应链合规性，推行绿色供应链管理，减少碳足迹及资源浪费。
公司已将供应链安全战略从被动响应升级为主动构建韧性，最大限度地降低国际地缘政治动荡、贸易环境变化及产业链突发性中断等外部不确定性带来的风险。同时，面对可能产生的风险，能够快速吸收、适应、恢复并维持关键业务持续运行的能力，保障公司设备生产供应的连续性和稳定性，提升在市场的竞争力和客户信任度。
报告期内，公司上游供应链总体保持稳定，有效保障设备生产并及时交付。
4、市场销售情况
报告期内，公司继续深耕中国大陆高端半导体设备市场，凭借公司在产品技术创新、优质客户资源积累、高效售后服务体系搭建等方面的核心竞争优势，不断提升产品综合竞争力，在客户群体的拓展方面取得显著成效，公司产品的市场渗透力和客户认可度实现稳步提升。截至报告期末，公司在手订单饱满。
公司持续拓展薄膜沉积设备和三维集成领域设备新工艺、新产品，同时，公司始终致力于与下游客户保持紧密且深入的合作关系，根据客户不同需求，提供高度定制化、高性能的设备产品，以及全方位、高质量的售后服务。同时，公司深入了解行业前沿需求，为产品研发和创新提供方向指引，为公司业务的持续高速增长及进一步巩固市场地位奠定坚实基础。
5、人才队伍建设情况
报告期内，公司结合战略规划与业务发展目标，持续加强人才梯队建设，致力于打造一支高素质、富有创新精神和协作能力的人才队伍。
在人才引进方面，公司通过与国内高校合作、设立实习基地等形式，积极吸引优秀应届毕业生；在人才培养方面，公司建立了多维度、全方位的人才培养体系，持续推进产学研深度融合，着力培养国际化、高层次、复合型的专业人才，夯实公司产业可持续发展的人才基础。截至2025年6月30日，公司员工总数1569人，其中研发人员638人，占公司员工总数的40.66%。
报告期内，公司实施了2025年限制性股票激励计划，并向1055名激励对象授予126.7894万股（股票来源为公司从二级市场回购的公司A股普通股股票）第二类限制性股票。上述股权激励计划的实施将进一步促进公司人才队伍的建设和稳定，助力公司长远发展。
6、营运管理方面
为实现产品系统性能的进一步提升，报告期内，公司持续改进智能化的软硬件系统（SmartMachine），对系统的功能和结构进一步优化，在已有功能基础上，开发新的优化算法和数据分析方法，更好地满足工艺研发、大规模生产、故障排查等方面的需求，进一步促进设备性能和维护效率的提升，以及研发成本、维护成本的降低，提高产品综合竞争力。
公司不断提升产品生产制造水平，优化物料运营管理，报告期内，公司对MES（生产管理系统）进行升级，从设备启动生产便自动开始监控交期，及时反馈生产进度，实现设备出货时间自动预警及全程监控，能够有效提升生产效率，实现生产追溯性系统管理；公司始终秉持“质量至上”的核心原则，建立和优化全流程质量管理体系，不断完善质量改进机制，以确保产品与服务的持续优化，报告期内，公司围绕产品设计、生产及交付等全生命周期实施系统化管控，确保产品符合法规标准及客户需求，持续推进质量优化与技术创新；在EHS（环境、健康、安全）方面，公司持续完善在绿色环保、员工健康、安全生产等方面的管理机制，保障公司生产的合规和安全；报告期内，公司积极开展ISO27001信息安全管理体系认证，持续完善信息系统技术防护和安全保密管理，加强公司网络安全、数据安全和物理安全管控。
7、募投项目建设进展情况
①超募资金投资项目“半导体先进工艺装备研发与产业化项目”
公司超募资金投资项目“半导体先进工艺装备研发与产业化项目”是在上海临港新片区建设研发与产业化基地，用于先进ALD设备及工艺的研发，并实现以临港为中心客户群所需半导体设备的产业化。该产业化基地已于2025年6月投入使用，截至本报告披露日，该项目已结项。注：上图为规划效果图2 新建项目“高端半导体设备产业化基地建设项目”公司新建投资项目“高端半导体设备产业化基地建设项目”是在沈阳市浑南区购置土地建设新的产业化基地，包括生产洁净间、立体库房、测试实验室等。项目总投资金额约为人民币110,000.00万元，其中募集资金及超募资金投入约为人民币26,826.60万元，其余项目资金约人民币83,173.40万元由公司及拓荆创益自筹。该产业化基地建成后，将大幅提高公司薄膜沉积设备的产能，以支撑公司PECVD、SACVD、HDPCVD等高端半导体设备产品未来的产业化需求，从而推动公司业务规模的持续增长。截至本报告披露日，公司已取得本项目的土地使用权证、用地规划许可证和工程规划许可证，并签订总包施工合同，正在履行相关政府部门备案手续。注：上图为规划效果图
8、对外投资情况
报告期内，公司结合发展战略规划，进一步完善业务发展布局，提升公司的综合竞争力，开展了以下对外投资事项：
（1）投资设立子公司/控股子公司
报告期内，公司设立了控股子公司拓荆青岛，积极布局半导体前沿技术领域的半导体设备产品；公司的全资子公司拓荆国际在新加坡投资设立了全资子公司拓荆全球，为公司进一步拓展海外业务奠定基础。
（2）积极开展产业投资
报告期内，公司开展了对原子启智的股权投资，布局覆盖了ALE（原子层刻蚀）等设备。公司开展的上述产业投资符合公司战略规划，与公司主营业务具有协同效应。
9、公司治理情况
报告期内，公司共召开3次股东大会、4次董事会、3次董事会审计委员会、3次董事会薪酬与考核委员会、4次监事会及1次独立董事专门会议，所审议的议案100%通过，并得到有效执行和实施。
公司严格依照《公司法》《证券法》《上市规则》以及《公司章程》等有关法律、法规、规范性文件的要求不断完善公司的治理结构，提高经营管理决策的科学性、合理性、合规性和有效性，提升公司的治理和规范运作水平，为公司业务目标的实现奠定良好的基础。
10、公司规范运作与信息披露、投资者关系管理及防范内幕交易情况公司高度重视上市公司规范运作与信息披露管理工作，严格依照股东大会、董事会、监事会、信息披露和投资者管理等相关制度规则合规运作。公司认真履行信息披露义务，确保信息披露及时、真实、准确和完整。
公司高度重视投资者关系管理相关工作，通过投资者邮箱、投资者电话专线、“上证e互动”平台、业绩说明会、接待投资者现场调研等多种形式加强与投资者的交流与沟通，促进公司与投资者之间建立长期、稳定的共赢关系，实现公司价值和投资者利益的最大化。报告期内，公司召开3次业绩说明会/投资者交流会。
公司高度重视内幕交易防范工作，做好内幕信息知情人登记管理和防范内幕交易工作。对公司董事、监事、高级管理人员及相关员工定期作出禁止内幕交易的警示及教育，敦促董事、监事、高级管理人员及相关知情人员严格履行保密义务并严格遵守股票减持及增持等相关规定。
非企业会计准则财务指标变动情况分析及展望
报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项。
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