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| 锴威特(688693)经营总结 | | 截止日期 | 2026-06-30 | | 信息来源 | 2026年中期报告 | | 经营情况 | 二、经营情况的讨论与分析
报告期内，公司实现营业总收入16,098.01万元，较上年同期增长44.99%；实现归属于母公司所有者的净利润为-3,385.15万元，较上年同期亏损增加62.76万元；实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润为-3,808.81万元，较上年同期亏损增加12.84万元。公司整体经营情况较上年同期基本持平，营收规模保持增长。
报告期内，功率半导体行业在经历结构性调整后持续复苏，国产替代进程加速推进，但行业竞争格局依然严峻。公司坚持“功率器件+功率IC”双轮驱动战略，聚焦BLDC电机驱动、工业及车用电源、新能源与智能电网、高可靠电源及电机驱动四大核心应用场景，以应用牵引技术迭代，深化内部管理，优化运营效能，积极应对挑战。报告期内，公司总体经营保持稳健发展态势，在业务拓展、研发创新及内部治理优化等方面取得了阶段性成果。
（一）研发创新持续深化，技术平台加速突破
报告期内，研发费用为4,104.79万元，同比增长16.43%，公司持续保持高强度研发投入，紧密围绕市场趋势与客户需求，稳步推进产品研发与迭代升级，技术平台建设取得新进展。
电源管理IC方面：公司持续丰富产品线的系列产品，完成了反激、正激、半桥、推挽、全桥、移相全桥等隔离拓扑产品系列化，其中移相全桥控制IC完成AEC-Q100车规级认证，产品已通过部分终端客户验证。同时针对工业电源领域，已成功研发小型化的隔离电源专用系列芯片，广泛应用于数字隔离器、隔离接口电路、隔离驱动的供电，针对800V高压母线研发的集成1700VSiC器件的高压辅助电源管理芯片处于测试验证阶段，预计下半年发布。公司加大Buck、Boost等非隔离拓扑的研发工作，推出了输入电压高达100V以上同步Buck控制器、同步Boost控制器等新品系列，同时展开1-8A同步buck转换器的研发以及采用SiP封装进行电源模块的研发，并已经推出两颗电源模块产品，经客户验证，性能优异，满足客户需求，预计下半年还会有3颗新品面市。为了提高电源系统的转换功率及可靠性，公司相继推出理想二极管控制IC、浪涌抑制控制IC和高边开关控制IC三个产品子系列，其中理想二极管控制IC将耐压提升至+/-150V，为目前国内外耐压等级最高的产品，可以更好地满足72V、96V等电池系统的应用，浪涌抑制控制IC已完成多家客户端的验证，逐步进入量产阶段，高边开关控制IC推出100V智能高边开关控制器，具备完善的保护功能以及预充电功能；公司同时结合器件和IC的自身优势，展开研发100V和150V的理想二极管模块。
电机驱动IC方面：公司持续丰富产品线的系列产品，推出针对电动工具领域专用的65V三相半桥驱动IC，针对无人机、工业伺服、慢速车市场的250V三相半桥驱动IC产品，以及SiCMOSFET专用的半桥驱动IC产品。基于公司拥有功率器件及驱动IC的基础，公司推出了电机驱动用IPM模块系列，包括500V~600V集成2A-6AFRMOS的IPM模块、650V集成10ASiCMOS的IPM模块、100V集成10ASGTMOS的IPM模块。公司电机驱动IPM产品线成功打入电机驱动市场。
硅基功率MOSFET方面：公司进一步开发完善了沟槽MOSFET及SGTMOSFET的工艺平台优化和产品布局，开发了40V、60V、80V、100V、120VSGT工艺平台，基于12寸晶圆产线已开发了系列中低压SGTMOSFET，服务于无人机、机器人、服务器、BMS等市场。针对电子负载等市场需求，需要高安全工作区的MOSFET，公司启动1500V超高压线性MOSFET的研发工作。
SiC器件方面：公司加大SiCMOSFET加工的产能布局及工艺平台的开发，与国内晶圆代工厂合作开发了750V、900V、1200V、1700V、2600V、3300VSiCMOSFET的生产工艺平台，并进行了优化与升级，公司已推出750V、900V集成ESD保护的系列SiCMOSFET，可以通过2kV的ESD测试，解决了SiCMOSFETESD能力差的问题。平面SiCMOSFET已推进到第4代工艺平2
台，元胞pitch缩小至2.5um，比导通电阻低至2.3mΩ•cm。同时针对固态断路器的应用，公司启动SiCJFET器件的研发工作，当前处于试制阶段，SiCJFET具有低导通、抗短路能力强的优势。在知识产权方面，公司本期新获授权发明专利9项，集成电路布图设计专有权6项；截至2026年6月30日，公司累计共已获授权专利153项(其中发明专利112项、实用新型专利41项)，集成电路布图设计专有权135项。公司聚焦智能功率半导体和SiC功率器件的研发升级，稳步推进募投项目建设。通过优化布局，高标准建设可靠性实验室及失效分析实验室，提升核心测试能力，以支撑车规级及高可靠领域产品的研发与交付。
（二）强化市场拓展，深化客户合作
报告期内，公司紧抓国产替代机遇，持续加大市场开拓力度，并不断深化与现有客户的合作关系。在高可靠领域，公司依托前期积累的技术优势，已实现客户群对国内高可靠电源龙头企业及重点科研院所的广泛覆盖，并正积极向工业控制与新能源领域拓展延伸。同时，着力扩大相关产品的客户群体和细分应用场景，重点聚焦新能源汽车、工业自动化、智能家电等高需求下游市场。在工控领域，公司深入挖掘工业储能、光伏逆变、新能源汽车及充电桩等细分赛道，超高压平面MOSFET、高压超结MOSFET、SiCMOSFET等产品的市场开拓取得良好成效。公司还推动系统化解决方案销售，从单一产品供应升级为整套芯片解决方案，以应用为牵引，整合功率器件与功率IC，优化客户体验，实现技术与渠道的双向赋能。对于重点客户，公司建立专属技术对接机制，快速响应个性化需求，并通过保障产品品质稳定性与供货及时性强化客户粘性；同时通过参加行业展会、技术交流会扩大品牌影响力，挖掘优质潜在客户。
（三）优化运营管理，强化质量保障
报告期内，公司持续推进降本增效与精细化运营管理，着力提升运营效率和质量保障能力。
公司强化全生命周期质量管理，将质量要求贯穿设计开发、供应链协同、生产制造及交付服务全流程，深化供应商质量管理，建立现场审核、联合改进与责任闭环机制。为打造高效运营保障体系，公司构建“纵向贯通、横向协同”的运营体系，围绕四大核心产品线进行深度整合，深化产品线全生命周期管理；同时推进供应链资源整合，开发关键FAB及封测供应商，丰富供应链储备并实现成本优化。此外，公司正积极推进中国合格评定国家认可委员会（CNAS）认可实验室建设，以增强自身检验检测能力，为车规级和高可靠产品的研发及质量管控提供有力支撑。
（四）完善公司治理，推进战略并购
报告期内，公司持续完善法人治理结构，全面深化合规体系建设。公司将合规管控嵌入业务流程各环节，强化资金运作、投资决策、信息披露、信息安全等高风险领域的全过程管理。同时，公司高度重视投资者关系管理，通过业绩说明会等多种形式加强与投资者的沟通，积极传递公司价值。公司积极有序推进收购晶艺半导体有限公司事项的相关工作，力求通过产品品类、研发技术、客户资源及运营管理等多维协同，推动公司实现高质量发展。
综上，2026年上半年，公司在面对外部挑战的同时，坚持战略聚焦，核心业务稳步发展，重大并购有序推进，技术研发持续突破。管理层对未来发展充满信心，将继续带领全体员工，聚焦主业，降本增效，努力实现经营业绩的稳步恢复与长期可持续发展。
非企业会计准则财务指标变动情况分析及展望
报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项。
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