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| 扬杰科技(300373)经营总结 | | 截止日期 | 2026-06-30 | | 信息来源 | 2026年中期报告 | | 经营情况 | 第三节 管理层讨论与分析
三、主营业务分析
概述
1、报告期内公司主要经营情况
（1）研发技术方面
①第三代半导体方面，公司持续加大 SiC 和 GaN等第三代半导体功率器件的研发投入，依托与东南大学集成电路学
院签约共建的“东南大学-扬杰科技宽禁带功率器件技术联合研发中心”的平台优势，增强第三代半导体领域的研发创新能力与技术积累。报告期内，公司投资的 SiC芯片工厂通过 IDM模式，实现 750V/1200V/1700V 的 SiC MOS 产品由第二代向第三代迭代升级。全系列 SiC MOS产品型号实现覆盖 750V/1200V/1700V 11mΩ-500mΩ，其中第三代 SiC MOS 平台的比导通电阻（RSP）达到 2.47mΩ.cm2 以下，FOM 值达到 2700mΩ.nC 以下，导通性能与开关特性兼具优势，可满足车规级可靠性要求，对标国际水平。同时公司新增消费类 800VSiC MOS产品平台，器件导通电阻实现覆盖 200mΩ-1000mΩ。SiC模块方面，公司已形成 C2A、Y-DPAK、HPD mini等多系列产品，并持续迭代升级。报告期内，公司在 SiC市场尤其是 SiC MOS市场份额持续增加，相关器件已广泛应用于 AI数据中心、新能源汽车、光储充、工业等领域。针对新能源汽车控制器应用，公司升级了全自动化车规功率模块产线，按照 AQG324 标准完成了全套可靠性验证；重点完成了芯片和 DTS银烧结、Pin针超声焊接、粗铜线互连等先进工艺 DOE验证。针对 OBC应用，开发了满足 1000V电气安全距离的顶部散热 Y-DPAK模块，具备体积小型化、功率密度高、爬电距离大、散热效率高、表贴型结构等特点。针对主驱 SiC 模块，开发了 HPD mini 激光焊接模块，具备低电感、低热阻、高可靠性等特点。针对工业感应加热电源应用，开发了注塑外壳的 62mm低电感半桥封装 C2A，可以满足 SiC芯片 6并联和高结温的应用场景。报告期内，公司与扬州大学物理学院签约共建的“扬州大学-扬杰科技 GaN功率器件联合研发中心”经过多年的持续努力，取得丰硕成果。用于 AI数据中心的新一代 GaN HEMT VDS 650V/RDS（on）typ 21mΩ 和 VDS 100V/RDS（on）typ 1.1mΩ 研发成功，经可靠性试验显示，产品性能对标行业标杆，稳定性对标国际水平，即将上市。② IGBT产品方面，基于 Fabless+自主 IDM 模式，公司在 8 吋、12 吋平台完成了 1.6/2.2µm pitch 微沟槽 650V 30A-160A，1200V 15A-200A IGBT 芯片全系列的开发和优化迭代，并已在客户端实现全系列批量出货。工业应用方面，公司不断完善产品封装和电流功率段，从传统沟槽迭代至 1.6µm的微沟槽系列，产品覆盖 1200V 15A-600A全电流段产品，并开发对标国际标杆 T7系列的 1700V系列大电流模块产品。光储充应用方面，布局开发 1.6µm 750V 75A-160A全系列产品，以应对光储产品从传统 650V系列向更高电压抬升的需求；通过采用高密度器件结构设计以及先进的背面加工工艺，显著降低了器件饱和压降和关断损耗，已有 6 个三电平模块型号（其中新增 N3，N4两个型号）应用于 60KW-320KW功率段，覆盖电压 650/1100/1200V、电流 160-600A 的 I 型和 T型三电平拓扑结构模块产品已完成上架，同时完成 650V 40A-160A、750V 75A-160A及 1200V 40A-140A的单管产品开发布局，产品逐步推向市场，目前已在客户端获得批量订单。车规单管方面，公司利用自身具备的车规级功率器件封装线，在 PTC、压缩机控制器应用领域，大批量交付车企及 Tier 1 客户。报告期内面向纯 800V平台推出 1500V车规单管，以适应电动汽车母线从 400V平台往 800V平台的升级趋势，产品已送样多家汽车客户开展测试评估。报告期内，公司 IGBT产品重点布局新能源汽车、光储充、工业等应用领域，销售额不断增长，市场份额逐步提升，已逐步成为集芯片设计和模块封装的重要参与者。③ MOSFET 产品方面，公司紧抓 AI数据中心、新能源汽车、工业三大核心增长赛道，基于 Fabless+自主 IDM 模式，已构建覆盖中低压至高压的完整技术平台。在深耕成熟 8吋工艺平台的同时，12 吋平台已实现量产放量，推动产能结构与单位成本持续优化，为车规级与高端电源市场规模放量布局。新能源汽车领域，公司实现从产品验证到规模量产的跨越：车规 NMOS产品已通过多家头部终端汽车电子客户测试并量产，围绕电机驱动、电源管理等高功率应用，公司正逐步向重点客户导入产品实现规模应用。PMOS车规产品完成芯片开发并通过车规级可靠性验证，满足头部终端客户测试要求，形成覆盖电池防反接、负载开关、电源管理等的系统化产品矩阵，显著增强公司车规功率器件领域渗透力。SGT MOSFET方面，公司加速平台迭代与电压等级拓展。新一代P40V/P80V/P150V/N80V/N100V/N150V/N200V/N250V SGT 工艺平台全面建立，核心性能指标 FOM（RDS(ON)*Qg）较市面主流水平领先 20%以上，构筑公司在新能源汽车与工业电源领域的技术壁垒并强化产品功率密度与系统效率。面向AI数据中心，针对 IBC架构演进带来的损耗要求，开发超低阻产品，显著提升单位面积电流承载能力。产品覆盖 AI服段。针对低空经济，聚焦无人机与 eVTOL的 12V/48V电源管理系统(BMS)，以中低压 SGT MOSFET切入供电链路，满足高可靠性、高功率密度与轻量化需求。公司已完成 N100V-N150V 平台立项开发，覆盖电池管理、负载开关、电机驱动等链路，联合头部无人机厂商同步全系列开发规划，优先推进 150V、100V及双 N管三大核心项目，逐步完成产品验证与客户积累。面向具身智能，针对中小功率应用聚焦 12V、48V系统的产品开发，为提升转换效率开发 Qoss和 Qrr产品，推动倒装芯片、集成化等先进封装的落地。总体而言，已形成多电压平台协同推进、车规认证持续落地、核心性能指标领先市场的技术驱动型成长路径。报告期内，公司研发费用率为 6.01%；报告期内，公司合计申请知识产权 45件（其中国内发明专利 24件，实用新型 15件，集成电路布图设计 3件，外观设计 3件），获授权 28件（其中国内发明专利 15件，实用新型 11件，集成电路布图设计 1件，外观设计 1件）。
（2）市场营销方面
①行业深耕与客户覆盖。公司持续完善技术营销协同机制，紧抓全球能源转型与智能化升级机遇，聚焦 AI数据中心、新能源汽车、光储充、工业、消费类电子等领域，实现了行业 TOP大客户全覆盖；同时完善行业线布局，以行业应
用需求牵引产品研发，精准布局新兴赛道。公司构建“客户需求-技术响应-闭环改进”的敏捷服务体系，以提升客户满意度为年度重点工作，搭建客户反馈响应窗口，针对客户反馈制定改善计划并形成闭环报告，有效增强客户粘性、巩固存量客户基础，为拓展新增合作创造有利条件，客户满意度已连续三年稳步提升。②重点矩阵突破。公司深入强化 AI事业部建设，聚焦未来确定性增量，面向 AI服务器电源、数据中心供配电等领域头部客户，实施分层分类管理和“一客一策”专项营销，围绕客户在研项目持续开展产品推介、技术交流、样品测试和认证跟踪，推动相关产品由单点送样向多产品线导入延伸。报告期内，公司与多家 AI相关领域头部客户合作持续深化，相关产品认证和项目导入有序推进，依托标杆客户示范效应拓展同类客户，客户覆盖和商机转化能力持续提升，AI数据中心板块营收同比增长近翻倍。同时，公司设立专职战略好产品行销经理，围绕 MOSFET、IGBT、SiC 系列产品构建行销与技术销售一体化能力，面向战略客户输出技术解决方案，形成团队协同作战模式，助力销售获得产品承认机会，提高重点产品销售占比。③渠道运营与服务体系完善。公司持续加强渠道精细化管理，根据产品、客户服务需求和市场覆盖特点，明确不同渠道的产品范围及客户边界。针对经销渠道，公司完善准入授权、目标管理、价格管理、库存监测和终端流向管理机制，提升渠道运行质量，降低重复覆盖和无序竞争；依托数字化营销平台建设，对线上咨询、技术需求和潜在商机进行统一归集、分级识别与定向分配，提高市场线索的处理效率。公司进一步规范市场服务流程，明确产品咨询、选型支持、质量反馈及应用问题的响应要求，推动技术服务资源向重点区域和重点需求下沉，持续提升品牌的市场触达能力和客户服务体验。
（3）运营管理方面
①公司始终坚持“质量至上”的发展宗旨。报告期内，公司以国际一流为标尺，系统推进零缺陷质量管理体系升级，
持续完善 DPPB/DPPM 指标体系。深入落实严进严出与“三化一稳定”等品质提升举措，精准识别并补齐质量管理短板，构建 AI赋能的全流程质量控制体系。同步打造具备全面质量管理能力的数字化专业人才队伍，依托部门数字化小组搭建质量信息共享与数据贯通机制，2026年上半年持续优化品质流程，覆盖多个一级部门及多项数字化平台，前瞻跟踪客户端产品表现，多维度降低产品潜在风险，筑牢高质量发展的质量根基。通过“流程优化+人员赋能”双轮驱动，人员效率与公司整体质量成本均实现显著改善。②公司以精益运营管理为核心，持续构建卓越运营体系。围绕 QDC（质量、交付、成本）三大核心目标，运用科学方法优化生产策略与柔性制造体系，不断提升客户交付满意度。公司聚焦“成本领先”战略，系统推进成本优化，2026年上半年，人效提升超 15%、机效提升超 5%、坪效提升超 8%。研发端以 VAVE 价值工程驱动技术创新、品质升级与设计降本，成熟产品优先使用 VAVE工具开展改善，通过相关改善落地识别品质及降本机会价值，为持续的品质提升与增效降本奠定坚实基础。制造端运用 VSM 价值流分析识别非增值流程与改进机会，依托标准化与单元设计（SW）升级作业标准，通过 PPSP 及 TPM 推进问题改进闭环，持续推动精益化转型。运营端将 VDM 可视化日常管理与数字化赋能深度融合，实现 VDM 67 个区域 100% 上线，覆盖制造、品质、仓储等核心场景，以数据透明驱动差距改善、巩固运营改善成果。③2026年上半年，公司继续大力推进智能化改造，全工序推进智能制造项目落地。落地 IoT 工业物联网、EAP 等技术在制造与设备管理中的应用，通过无纸化、自动报工、自动排产等项目升级品质与运营管理，持续扩大数据采集覆盖，实现生产全过程“事前防呆、事中防错、事后追溯”的数字化管控，推动品质与效率双提升。公司依托数字化与 AI工具持续优化关键制造参数，结合生产数据采集与精益日常管理，推动制造体系向数字化、网络化、智能化全面演进。
2、报告期内业绩变动原因说明
2026年上半年，功率半导体行业受益于 AI数据中心、新能源汽车、光储等领域需求爆发，叠加 8英寸成熟制程产能紧缺，呈现景气度上行、量价齐升的发展态势。报告期内，公司聚焦主业，积极落实产品领先战略，通过持续研发投
入完善高附加值产品矩阵，实现营业收入同比增长30.69%。其中，汽车电子业务延续一季度良好发展态势，收入同比增长超 100%；SiC业务受益于新产品持续推出、客户端导入进程加快以及产能稳步释放，收入同比增长近翻倍。此外，公司持续推进精益生产与全流程精细化管控，有效应对原材料成本上涨，业绩实现稳健增长。业务规模持续扩大。营业成本 2,902,352,256.40 2,287,590,616.58 26.87% 无重大变动销售费用 183,109,564.41 143,170,526.86 27.90% 无重大变动管理费用 214,376,907.68 167,699,595.94 27.83% 无重大变动财务费用 60,867,468.66 -23,119,431.20 363.27% 主要为，报告期内，外汇汇率波动，汇兑损失增加。所得税费用 123,934,403.99 99,188,220.52 24.95% 无重大变动研发投入 271,432,061.93 220,430,540.43 23.14% 无重大变动经营活动产生的现金流量净额 498,965,560.81 757,490,803.53 -34.13% 主要为，报告期内美元结算的销售回款减少及锁定核心原材料支付的现金增加所致。投资活动产生的现金流量净额 -620,528,027.28 -595,023,803.71 -4.29% 无重大变动筹资活动产生的现金流量净额 -212,965,777.54 293,539,657.46 -172.55% 主要为，报告期内偿还债务支付的现金增加。现金及现金等价物净增加额 -438,383,796.60 446,310,430.93 -198.22% 主要为，报告期内公司筹资活动产生的现金流量净额减少。汇率变动对现金及现金等价物的影响 -103,855,552.59 -9,696,226.35 -971.09% 主要为,外币汇率波动,公司汇兑损失增加。公司报告期利润构成或利润来源发生重大变动□适用 不适用公司报告期利润构成或利润来源没有发生重大变动。
四、非主营业务分析
适用 □不适用
产品收益。 否
公允价值变动损益 39,824,943.61 4.52% 主要为报告期内公司权益工具投资确认的公允价值变动收益。 否资产减值 -58,886,081.60 -6.68% 主要为存货跌价准备金计提。 否营业外收入 4,300,438.02 0.49% 主要为报告期内公司收到的质量赔款收入。 否营业外支出 8,384,836.11 0.95% 主要为报告期内公司对外捐赠及非流动资产报废损失。 否信用减值损失 -34,486,442.50 -3.91% 主要为报告期内应收账款坏账准备金计提。 否资产处置收益 -964,416.01 -0.11% 主要为固定资产处置损失。 否
五、资产及负债状况分析
1、资产构成重大变动情况
内，公司一年以上的银行融资增加。期理财产品增加。兑汇票增加。料款增加。付款增加。保本固定收益型理财产品增加。其他非流动资长期定期存单减少。承兑汇票增加。得税金增加。加。一年内到期的到期的长期借款减少。确认商业承兑汇票及供应链票据增加。财务报表折算差异。
2、主要境外资产情况
□适用 不适用
3、以公允价值计量的资产和负债
适用 □不适用
报告期内，公司处置其他非流动金融资产取得的投资收益
报告期内公司主要资产计量属性是否发生重大变化□是 否
4、截至报告期末的资产权利受限情况
六、投资状况分析
1、总体情况
适用 □不适用
2、报告期内获取的重大的股权投资情况
□适用 不适用
3、报告期内正在进行的重大的非股权投资情况
□适用 不适用
4、以公允价值计量的金融资产
适用 □不适用
5、募集资金使用情况
适用 □不适用
（1） 募集资金总体使用情况
适用 □不适用
截至2026年06月30日，募集资金余额为 12,459.13万美元。
（2） 募集资金承诺项目情况
适用 □不适用
一般
公司
用
途2023年04月18日 补充
营运
资金
及
其他
一般
公司
用
途 补流 否 43,72
8.74 43,72
8.74 43,72
承诺投资项目小计 -- 145,762.46 145,762.46 5,688不适用 否合计 -- 145,762.46 145,762.46 5,688项目可行性发生重大变化的情况说明 不适用超募资金的金额、用途及使用进展情况 不适用存在擅自变更募集资金用途、违规占用募集资 不适用金的情形募集资金投资项目实施地点变更情况 不适用募集资金投资项目实施方式调整情况 不适用募集资金投资项目先期投入及置换情况 不适用用闲置募集资金暂时补充流动资金情况 不适用项目实施出现募集资金结余的金额及原因 不适用尚未使用的募集资金用途及去向 公司将暂时闲置募集资金 4,985.00万美元存于募集资金专户项下的银行定期存款账户，7,474.13万美元存放于募集资金专户。募集资金使用及披露中存在的问题或其他情况 公司于2026年7月3日召开2026年第一次临时股东会，审议通过了《关于变更部分募集资金投资项目的议案》，鉴于公司越南工厂一期已满产，海外研发中心、渠道均已布局到位，为切实提高募集资金使用效率，综合考虑内外部形势变化、市场情况及公司实际经营需要，同意将公司2023年发行的 GDR募投项目“发展功率元件业务，包括建设小信号产品、硅基及碳化硅 SBD、MOSFET等产品的封装”项目、“海外研发中心和全球销售及售后服务网点建设”项目结项，剩余的募集资金用于公司正在实施的投资项目“车规级功率半导体模块封装项目”和“AI基础设施用功率器件生产线技术改造项目”。
（3） 募集资金变更项目情况
□适用 不适用
公司报告期不存在募集资金变更项目情况。
6、委托理财、衍生品投资情况
（1） 委托理财情况
适用 □不适用
报告期内委托理财概况
公司作为单一委托人委托金融机构开展资产管理，或投资安全性较低、流动性较差的高风险委托理财具体情况 □适用 不适用
（2） 衍生品投资情况
适用 □不适用
1） 报告期内以套期保值为目的的衍生品投资
适用 □不适用则，以及与上一报告期相比是否发生重大变化的说明 未发生重大变动报告期实际损益情况的说明2026年半年度公司已投资衍生品产生的损益为 58.60万元，公司衍生品公允价值根据中国银行外汇报价确定。套期保值效果的说明 公司通过外汇套期保值，降低了外汇市场的风险，报告期内的汇率波动未对公司造成重大不良影响。衍生品投资资金来源 自有资金报告期衍生品持仓的风险分析及控制措施说明（包括但不限于市场风险、流动性风险、信用风险、操作风险、 公司及子公司进行外汇及商品套期保值业务遵循稳健原则,不进行以投机、套利为目的的交易,所有套期保值业务均以正常生产经营为基础,以具体经营业务为依托,以规避和防范汇率波动和原材料价格波动风险为目的。但是开展套期保值业务也会存在一定的风险,主要包括：
1、价格波动风险：在外汇汇率波动较大时，开展的外汇套期保值业务可能会带来较大公允价值波动。当期货、期权等衍生品行情剧烈波动时，公司可能无法在预期锁定的价格买入套保或在预定的价格平仓，造成损失。
2、内部控制风险：套期保值交易专业性较强，复杂程度较高，可能会产生由于内控体系不完善造成的风险。
3、资金风险：套期保值交易按照公司相关制度中规定的权限下达操作指令，如投入金额过大，可能造成资金流动性风险，甚至因未及时补充保证金而被强行平仓带来实际损失。
4、操作风险：由于交易人员主观臆断或不完善的操作造成错单，给公司带来损失。
5、技术风险：由于存在无法控制或不可预测的系统、网络、通讯故障等因素，可能致使交易系统无法正
法律风险
等） 常运行，导致交易指令出现延迟、中断或数据错误等问题，从而给公司带来相应风险。
6、法律风险：交易人员如未能充分理解交易合同条款和产品信息，公司将面临因此带来的法律风险及交
易损失。
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