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| 赛微电子(300456)经营总结 | | 截止日期 | 2024-12-31 | | 信息来源 | 2024年年度报告 | | 经营情况 | 第三节 管理层讨论与分析
一、报告期内公司所处行业情况
公司需遵守《深圳证券交易所上市公司自律监管指引第4号——创业板行业信息披露》中的“集成电路业务”的披露要求
（一）公司所处行业的整体发展情况、行业政策及对公司的影响
1、集成电路行业的整体发展情况、行业政策
集成电路是信息处理和计算的基础，在科技革命和产业变革中发挥着关键作用。集成电路行业处于电子产业链的上游，
其发展速度与全球经济增速正相关，呈现出周期性的波动趋势。2023年上半年，受全球库存高企、消费低靡的影响，集成电路市场出现下滑趋势；2023年下半年开始，随着人工智能带动相关产业需求增加，市场库存逐步消化，各国持续加大投资力度，集成电路市场呈现复苏态势，2024年，全球半导体市场逐步走出下行周期。根据美国半导体行业协会（SIA）的数据统计，2024年全球半导体行业销售规模为6,276亿美元，同比增长19.1%，其中第四季度销售额为1,709亿美元，比
2023年第四季度增长17.1%，比2024年第三季度增长3.0%。从中长期看，集成电路是一个繁荣向好的行业。根据国际权威研究机构Gartner的预测，全球半导体市场将由2023年的 5,258.94亿美元增长至2027年的 7,516.03亿美元，GAGR（年均复合增长率）达到 9.34%；亚太半导体市场将由 2023年的3,663.44亿美元增长至2027年的5,298.63亿美元，GAGR（年均复合增长率）达到9.67%。近年来，国家大力支持集成电路行业创新发展。2021年“十四五”规划纲要提出：“培育先进制造业集群，推动集成电路、航空航天、船舶与海洋工程装备、机器人、先进轨道交通装备、先进电力装备、工程机械、高端数控机床、医药及医疗设备等产业创新发展。”2023年中央经济工作会议精神指出：“要以科技创新推动产业创新，特别是以颠覆性技术和前沿技术催生新产业、新模式、新动能，发展新质生产力。完善新型举国体制，实施制造业重点产业链高质量发展行动，加强质量支撑和标准引领，提升产业链供应链韧性和安全水平。要大力推进新型工业化，发展数字经济，加快推动人工智能发展。”
2、MEMS行业的整体发展情况、行业政策
MEMS 是微电路和微机械按功能要求在芯片上的一种集成，基于光刻、腐蚀等传统半导体技术，融入超精密机械加工，
并结合力学、化学、光学等学科知识和技术基础，使得一个毫米或微米级的MEMS具备精确而完整的机械、化学、光学等特性结构。MEMS 行业系在集成电路行业不断发展的背景下，传统集成电路无法持续地满足终端应用领域日渐变化的需求而成长起来的。随着微电子学、微机械学以及其他基础自然科学学科的相互融合，诞生了以集成电路工艺为基础，结合体微加工等技术打造的新型芯片。随着终端应用市场的扩张，使得MEMS应用越来越广泛，产业规模日渐扩大，成为集成电路行业一个日趋活跃的新分支。随着万物互联与人工智能的兴起，作为集成电路细分行业的MEMS获得了更广阔的市场空间和业务机会。传统的传感器、执行器和无源结构器件逐步被替代，MEMS 技术的渗透率得以进一步提高。根据世界权威半导体市场研究机构 YoleDevelopment 发布的《Status of the MEMS Industry 2024》，全球MEMS市场规模将由2023年的146亿美元增长至2029年的200亿美元，CAGR（年均复合增长率）达到5%。
图片来源：Yole Development
MEMS 属于国家鼓励发展的高新技术产业和战略性新兴产业，是当前国际竞争和科技攻关的前沿热点。国家“十四五”
规划纲要提出：“打造数字经济新优势，加强关键数字技术创新应用，聚焦传感器等关键领域。”与此同时，以高水平现代化生产力（新类型、新结构、高技术水平、高质量、高效率、可持续的生产力）为衡量标准，以“领域新、技术含量高，依靠创新驱动”为评判关键，MEMS 属于新质生产力的范畴，将助力推动相关产业的发展，增强产业创新能力和国际竞争力。近年来，国家有关部门陆续出台了一系列相关政策，从关键技术研发、产业应用等角度大力支持促进行业发展，为行业的发展提供了良好的政策环境。发布时间 政策名称 发布单位 主要内容2023.01 《关于推动能源电子产业发展的指导意见》 工信部等六部门 发展小型化、低功耗、集成化、高灵敏度的敏感元件，集成多维度信息采集能力的高端传感器、新型 MEMS 传感器和智能传感器。2023.01 《“机器人+”应用行动实施方案》 工信部等十七部门 推动机器人技术与 5G、云计算、智能传感等新技术融合，实现自主导航、自动避障、人机交互、语音及视觉识别、数据分析等功能。2023.12 《产业结构调整指导目录（2024年本）》 国家发改委 推动制造业高端化、智能化、绿色化。以下内容列为鼓励类技术、装备及产品：产；传感器封装（MEMS）、2.5D、3D 等一种或多种技术集成的先进封装与测试；传感器：微纳位移传感器、柔性触觉传感器、高分辨率视觉传感器、可加密传感器等具有无线通信功能的低功耗智能传感器。2024.1 《关于推动未来产业创新发展的实施意见》 工信部等七部门 突破脑机融合、类脑芯片、大脑计算神经模型等关键技术和核心器件，研制一批易用安全的脑机接口产品，鼓励探索在医疗康复、无人驾驶、虚拟现实等典型领域的应用；加快突破 CPU 芯片、集群低时延互连网络、异构资源管理等技术，建设超大规模智算中心，满足大模型迭代训练和应用推理需求。2024.3 《推动大规模设备更新和消费品以旧换新行动方案》 国务院 促进产业高端化、智能化、绿色化发展；推进医疗卫生机构装备和信息化设施迭代升级，鼓励具备条件的医疗机构加快医学影像、放射治疗、远程诊疗、手术机器人等医疗装备更新改造；开展汽车以旧换新；鼓励有条件的地方对消费者购买绿色智能家电给予补贴；积极培育智能家居等新型消费。2024.5 《关于深化智慧城市发展 推进城市全域数字化转型的指导意见》 国家发改委等四部门 加快推动城市建筑、道路桥梁、园林绿地、地下管廊、水利水务、燃气热力、环境卫生等公共设施数字化改造、智能化运营，统筹部署泛在韧性的城市智能感知终端；推进城市智能基础设施与智能网联汽车协同发展。2024.12 《关于深化养老服务改革发展的意见》 中共中央、国务院 研究设立养老服务相关国家科技重大项目，重点推动人形机器人、脑机接口、人工智能等技术产品研发应用。深化全国智慧健康养老应用示范，推广智能化家居和智慧健康产品，探索开展居家养老安全风险预警和防范服务。公司当前的核心业务为MEMS工艺开发及晶圆制造，因此，基于该细分行业整体发展长期向好的态势以及国家的长期战略政策支持，公司MEMS业务的进一步发展将继续拥有良好的产业发展及政策支持环境。报告期内，公司旗下控股子公司继续获得中央及地方集成电路项目的资金支持，有利于公司进一步加大相关投入，推动业务发展。
（二）MEMS行业的主流技术水平、市场需求变化及对公司的影响
在通信计算领域，除 MEMS 光开关在传输领域的成熟应用外，数据中心及 AI 超级计算机对硅光技术的采用，促进了
MEMS-OCS（Optical Circuit Switch，光链路交换器件）的兴起，高频通信则对基于MEMS工艺制造的BAW滤波器提出了更多的应用需求；在生物医疗领域，由于试验、诊断、监测、给药设备及载体的微型化以及生物与机械之间的融合探索，MEMS 器件在医疗领域的需求持续增加；在工业汽车领域，受自动驾驶和高级驾驶辅助系统（ADAS）功能集成的推动，MEMS传感器件的渗透率不断增长；在消费电子领域，随着智能手机、可穿戴设备、AR/VR/MR 等消费终端的发展，对于设备的智能化、精准化及交互性提出了丰富的需求，促进了 MEMS 传感器件的应用。整体而言，MEMS 行业拥有来源丰富、活跃变化的市场需求。根据Yole Development的研究，2024年10亿美元以上的MEMS细分领域包括射频器件（33.32亿美元）、惯性测量单元 IMU（23.61亿美元）、压力传感器（22.74亿美元）、加速度计（13.89亿美元）、麦克风（13.07亿美元）；头（13.54亿美元）。MEMS 的生产制造使用了包括体微机械加工和表面微机械加工在内的微细加工技术，并结合沉积、光刻、键合、刻蚀等集成电路工艺，在硅片上实现微型机械三维结构的构建，在保留器件机械性能的基础上大幅缩减了机械体积、降低了能耗并提高了机械可靠性，同时可批量生产，大大降低生产成本。MEMS 技术发展正受到多重因素的推动，包括成本、尺寸、性能、功率、稳定、智能及连接性。成本的降低有助于实现新应用场景，小型化的MEMS器件有助于系统整合，并支持增强现实（AR）等新应用的发展。在性能方面，高准确性和低噪声是关键指标，直接影响MEMS传感器的可靠性和效果。功率管理是确保 MEMS 技术能够持续运行的重要因素。MEMS 器件还需要对环境条件具有稳定性，能够抵抗冲击、振动、湿度、压力等环境因素。此外，传感器融合、集成数据处理（DSP）、嵌入式软件和算法、边缘 AI（包括推理和最终训练）以及多种通信接口（如I2C、I3C、SPI、MIPI、LoRa、BLE）都是提升MEMS智能和连接性的关键技术。公司长期保持在全球 MEMS 晶圆代工第一梯队，同时代表着业内主流技术水平。公司拥有覆盖 MEMS 领域的全面工艺技术储备，关键技术已经成熟并经过多年的生产检验，TSV、TGV、SilVia、MetVia、DRIE 及晶圆键合等技术模块行业领先。好的市场及竞争要素。
（三）MEMS核心技术、成本控制及公司竞争优劣势
MEMS 代工业务的本质是通过集成电路大规模、标准化工艺技术，实现各类传感器件的低成本制造，同时实现小体积与
低功耗。作为全球领先的 MEMS 纯代工厂商，公司 MEMS 工艺开发及晶圆制造业务的主要生产技术类别及环节与其他竞争厂商相比并无重大差异，公司的竞争优势更多地体现在通过长期实践，在制造工艺中集成了大量的专利技术（IP)和技术诀窍料紧密地结合起来的一种晶圆制造技术。硅晶圆键合往往与表面硅工艺、体硅工艺相结合，被用于 MEMS 器件的加工制造工艺中 技术分支：直接键合（硅-硅、阳极、混合等）；间接键合（共晶、金属、glass frit等）设备：晶圆级键合机氧化退火 氧化是在硅上形成二氧化硅；而退火提高了温度使注入的掺杂剂离子从晶格间迁移到晶格点 技术：扩散，或晶格修复设备：FGA氧化退火炉等沉积 采用物理和化学等方法在晶圆表面或近表面形成膜（薄膜、厚膜） 金属溅射机、二氧化硅/氮化硅等离子增强化学气相沉积、物理气相淀积、电镀干法刻蚀 干法刻蚀的刻蚀剂为等离子体，利用等离子体和表面薄膜反应，形成挥发性物质，或直接轰击薄膜表面使之被腐蚀的工艺 深反应离子刻蚀；二氧化硅/氮化硅/多晶硅/聚酰亚胺薄膜刻蚀、螺旋波等离子体源二氧化硅刻蚀湿法刻蚀 通过化学刻蚀液和被刻蚀物质之间的化学反应将需被刻蚀物质剥离下来的刻蚀方法 KOH溶液湿法硅刻蚀、HNA系统湿法硅刻蚀、氮化硅湿法刻蚀量测 对加工体（晶圆等）的电性/机械/化学/形貌/尺寸等参数进行测量，用于控制工艺参数、校调生产设备、分析失效因素和验证基本功能 晶圆级、分立器件级探针机台、显微镜、形貌仪等切割 使用高速旋转的晶圆切割设备，采用磨削的方式切割晶圆，以使芯片间得以切割分离 （自动/或手动）晶圆切割机MEMS 制造上连产品设计，下接产品封测，是 MEMS 产业链中必不可少的一环。MEMS 产品类别多样、应用广泛，客户定制化程度非常高，其生产采用的微加工技术强调工艺精度，属于资金、技术及智力密集型行业。与 CMOS 相比，MEMS 代工行业呈现出多品种、小批量的特点，同时对代工厂商的成本控制能力提出极高要求。作为全球领先的MEMS纯代工厂商，公司在MEMS业务成本控制方面具有如下特点： A、形成了标准化、结构化的工艺模块虽然MEMS产品的特殊性要求制造者为每种产品开发独特的工艺流程，但实践中许多工艺步骤是可为多种器件通用的。公司以最大化利用工程资源为目标，提炼出多种可重复使用的工艺制程模块，将这些模块类别命名为“SmartBlock”。标准工艺模块作为工艺集成规划的起点，再对单个产品的关键工艺开发、调整和优化，最后对单个产品开发特殊工艺或材料。标准化的工艺模块加上调整优化后的关键工艺和特殊工艺能直接整合客户的产品，实现工艺标准化和规模量产定制化相结合。B、丰富的项目开发及代工经验公司在历史经营期内参与了500余项MEMS工艺开发项目，与下游客户开展广泛合作，代工生产了包括微镜、光开关、片上实验室、微热辐射计、振荡器、原子钟、压力传感器、加速度计、陀螺仪、硅麦克风等在内的多种MEMS产品。长期实践中，公司严格按照新产品导入流程（NPI）进行项目管理，在产品复杂多样的环境下做好生产工艺的开发与管理；公司团队自主开发的生产管理系统能够很好地对生产计划和制造过程进行整体控制，形成了一套行之有效的MEMS代工厂运营管理办法。C、建立量产工厂的成本控制体系随着工艺开发向量产的并行转换、公司结合量产需要，采取相应的成本控制手段，一方面根据规模量产工厂的定位要求建立成本控制体系，另一方面则是积极扩大产品范围及客户群体，通过规模效应来实现边际业务成本的降低。
（四）所属行业的周期性特点
集成电路行业处于电子产业链的上游，其发展受到下游终端应用的深刻影响，其行业发展速度与全球经济增速正相关，
呈现出周期性的波动趋势。近年来，随着行业分工的深化，集成电路设计、制造及封测各环节专业化程度显著提高，行业整体能够更加准确的把握需求变动趋势、更有计划地控制产能规模及资本性支出、更加及时地对市场变化做出反应及修正；同时，集成电路产业在社会其他行业的渗透日益深入，终端消费群体基数庞大，一定程度上抵消了经济周期的影响。集成电路行业整体的周期性波动日趋平滑。MEMS 行业作为基于集成电路技术演化而来的新兴子行业，其周期性与集成电路行业相似；同时由于MEMS技术具有替代性、前沿性、创造性，其技术和产品的更新迭代将为下游市场注入新的活力，并引导下游突破现有瓶颈限制、持续激发创新、拓宽终端应用范围，推动社会经济有机增长，故其行业周期性波动风险可得到有效降低。不同，且智能传感正是推动全球经济发展的新兴力量，其中MEMS更是技术变更与竞争的新兴领域，因此在当前阶段，MEMS行业更多受自身发展阶段及周期的影响，受宏观经济周期的直接影响相对较小。
（五）公司所处的行业地位
公司全资子公司瑞典Silex是全球领先的纯MEMS代工企业，服务于全球各领域巨头厂商，且正在瑞典持续扩充产能；
同时公司控股子公司赛莱克斯北京已投入运营并持续推动产能爬坡，因此合理预计公司有望继续保持纯MEMS代工的全球领先地位。根据Yole Development的统计数据，2012年至今，瑞典Silex在全球MEMS代工厂营收排名中一直位居前五，与意法半导体（ST Microelectronics）、TELEDYNE、台积电（TSMC）、索尼（SONY）等厂商持续竞争，2019-2023年则在全球MEMS纯代工厂商中位居第一，在2023年全球MEMS厂商综合排名中居第27位。随着公司境内外新增产线及产能的陆续
建设及投入使用，公司整体将继续保持在全球MEMS制造产业竞争中的第一梯队。 图片来源：Yole Development
四、主营业务分析
1、概述
（一）整体经营情况概述
报告期内，公司继续聚焦发展主营业务MEMS（微机电系统），在复杂的国际政治经济环境下，MEMS业务实现稳健的收
入增长，并持续为下一步的产能扩充及爬坡做好准备。公司主营业务MEMS工艺开发与晶圆制造具备全球竞争优势，拥有业内顶级专家与工程师团队，并在境内外同时布局扩张新的 8 英寸/12 英寸产能，较好地把握了下游通信计算、生物医疗、工业汽车、消费电子等应用领域的市场机遇，继续保持了生产与销售旺盛的状态。对于瑞典 MEMS 产线，报告期内订单、生产与销售状况良好（尤其是 MEMS-OCS 晶圆的生产销售在本报告期实现大幅增长），继续实现了整体业务增长，保持了良好的盈利能力；但由于价格较高的MEMS-OCS晶圆对产量需求较低，产线的生产量、销售量以及产能利用率反而出现下降；基于对业务发展前景的乐观判断，产线在保持运营现有 8 英寸产线的同时，正筹划未来在自有半导体产业园区内新建 12 英寸 MEMS 产线，以满足相关客户（尤其是欧美客户）当前与未来的工艺开发及晶圆制造需求。对于北京MEMS产线，报告期内继续处于产能爬坡阶段，具有导入属性的工艺开发业务继续开展，量产属性的晶圆制造业务进一步夯实且实现倍数增长（尤其是 MEMS 微振镜、BAW 滤波器晶圆的生产销售在本报告期实现大幅增长），从工艺开发阶段转入风险试产、量产阶段的晶圆产品类别持续增加，在产线产能持续扩大的情况下，产能利用率仍实现大幅提高，北京产线的MEMS业务收入实现大幅增长，与瑞典MEMS产线一同对MEMS业务的增长部分实现相当贡献。但由于产能的持续建设和经营活动的持续扩大，产线的折旧摊销压力巨大，同时又继续保持了较高的研发强度，而获得的政府补助较去年大幅减少，北京MEMS产线继续亏损且亏损金额扩大，抵消了瑞典MEMS产线的盈利增长，导致公司MEMS主业整体亏损。报告期内，公司及相关子公司仍适度开展半导体设备业务，贡献了一定体量的营业收入，但由于缺乏2023年的大客户销售，2024年的半导体设备业务下降了60.37%。与此同时，报告期内公司销售费用、管理费用、财务费用上升，研发费用继续处于较高投入水平。报告期内，公司实现营业收入 120,471.56万元，较上年下降7.31%；利润科目由盈转亏，其中，营业利润-25,427.63万元，较上年大幅下降901.90%；利润总额-25,426.46万元，较上年大幅下降900.76%；净利润-25,525.60万元，较上年大幅下降454.28%；归属于上市公司股东的净利润-16,999.41万元，较上年大幅下降264.07%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-19,071.59万元，较上年大幅下降2439.08%。报告期内，公司基本每股收益-0.2322元，较上年下降263.98%；加权平均净资产收益率-3.37%，较上年下降5.41%（绝对数值变动），主要是由于归属于上市公司股东的净利润较上年大幅下降264.07%。本报告期末，公司总资产701,133.78万元，较期初下降3.45%；归属于上市公司股东的所有者权益 492,359.70万元，股本732,213,134.00元，归属于上市公司股东的每股净资产6.72元，较期初下降4.55%。此外，在非经常性损益方面，报告期内，公司主营业务活动陆续取得系列政府补助，其中部分补助在本报告期内补偿了部分相关成本费用或损失，公司补助收益为 1,597.66万元，非经常性损益对公司当期归母净利润的影响为 2,072.18万元。
（二）主要业务情况
1、MEMS主业发展情况
报告期内，境内外子公司 MEMS 业务收入均实现增长。一方面，瑞典 FAB1＆FAB2 产线继续保持中试线属性，继续扩大
MEMS 制造服务领域、丰富工艺组合，并通过添购瓶颈设备、积极规划此前收购的半导体产业园区等为进一步增加产能准备条件（本报告期瑞典 FAB1＆FAB2 业务结构发生变化，MEMS-OCS 等高单价、低产量晶圆产品的收入占比提高，综合导致其产能利用率出现较为明显的阶段性波动）；另一方面，在完成基础工艺积累的情况下，北京FAB3产线继续保持研发投入，结合市场需求积极突破传感、射频、光学、生物等各领域各类 MEMS 器件的生产诀窍，继续推动客户 MEMS 微振镜、BAW 滤波器、高频通信器件、生物芯片、温湿度、硅麦克风等不同类别晶圆的试产及量产导入以及惯性、硅光子、振荡器、3D 硅电容、超声波换能器、喷墨打印头等不同类别晶圆的工艺开发及试生产储备，为产线的后续产能爬坡和规模量产持续集聚条件。万元，较上年上升31.52%，MEMS工艺开发实现收入34,198.02万元，较上年下降4.19%，上述变化的主要原因是：基于公司的境内外“双循环”服务体系战略以及旗下不同中试线及量产线的定位，在保证工艺开发业务前置导入的同时，瑞典FAB1＆FAB2、北京FAB3在当前阶段均积极推动客户将产品导入晶圆制造阶段，以逐步适应下一阶段以规模量产为主的业务形态。报告期内，公司MEMS业务的综合毛利率为35.49%，较上年基本持平；其中MEMS晶圆制造毛利率为33.19%，较上年基本持平，MEMS 工艺开发毛利率为 39.90%，较上年上升 1.23%（绝对数值变动），上述变化的主要原因是：对于 MEMS 晶圆制造，随着MEMS晶圆制造业务的逐步稳定发展，原材料、人工、制造费用等形成的成本结构日趋稳定，毛利率水平趋于稳定，未来需进一步释放规模效应；对于 MEMS 工艺开发，2024年较上年客户产品结构相对稳定，毛利率波动较小。整体而言，瑞典产线的毛利率继续保持了较高水平，北京 FAB3 仍处于产能爬坡阶段，其 MEMS 业务的综合毛利率较上年基本持平，公司MEMS业务在整体上保持了较好的毛利率水平。报告期内，得益于MEMS应用市场的高景气度，并基于持续扩充的瑞典产线及北京产线，公司积极开拓全球市场，并积极承接 MEMS 工艺开发及晶圆制造订单，持续服务于包括硅光子、激光雷达、运动捕捉、光刻机、DNA/RNA 测序、高频通信、AI 计算、ICT、红外热成像、计算机网络及系统、社交网络、新型医疗设备等厂商以及通信计算、生物医疗、工业汽车和消费电子等各细分领域的领先企业。报告期内，公司瑞典 FAB1＆FAB2 升级改造完成后的产能逐步磨合且基于此前已收购的半导体产业园区，其自身的MEMS 工艺开发及晶圆制造业务的产能保障能力均得到加强；公司北京 FAB3 持续扩大覆盖不同的产品及客户，积极推进产能及良率爬坡，并坚持进一步扩充产能。随着瑞典产线及园区的积极有效利用，北京产线整体运营状态的持续提升，以及公司正在推进的粤港澳大湾区、怀柔科学城中试产线布局，公司境内外同时拥有不同定位的合格产能，不同产线在产能、市场等方面的协同互补将有力保证公司继续保持纯MEMS代工的全球领先地位。
2、研发情况
报告期内，公司继续重视技术和产品的研发投入，包括人才的培养引进及资源的优先保障。公司MEMS主业属于国家鼓
励发展的高技术产业和战略性新兴产业，同时也需要公司进行重点、持续的研发投入。2024年，公司共计投入研发费用45,483.08万元，在上年高基数的情况下继续增长了 27.53%，占营业收入的 37.75%，研发投入的规模和强度继续呈现出极高的水平。具体详见本节“四、主营业务分析”之“研发投入”的相关内容。
3、投融资情况
报告期内，公司为实现产业目标、把握合作机遇、更好地服务于MEMS主业的发展，基于过往已有布局、根据长期发展
战略继续开展投融资活动：（1）股权投资方面，基于对光谷信息的长期投资历史及乐观展望，公司通过协议转让方式增持光谷信息 10.72%股权；（2）股权调整方面，基于海创微元的定位及中长期发展前景，公司进一步提高了对该子公司持股比例；（3）产业基金方面，参与投资深圳智能传感基金；持续推动北京传感基金在智能传感领域的项目投资；继续跟踪半导体产业基金、北斗产业基金的投资与投后情况，关注赛微私募基金的运行情况；（4）股权激励方面，根据公司2021年限制性股票激励计划对部分限制性股票进行回购注销/作废操作；（5）融资租赁方面，瑞典 Silex 与赛莱克斯北京继续执行相关融资租赁交易；（6）银行授信方面，公司及子公司根据经营发展中的资金需求，继续向相关银行申请综合授信额度。
2、收入与成本
（1） 营业收入构成
（2） 占公司营业收入或营业利润10%以上的行业、产品、地区、销售模式的情况 适用 □不适用
公司主营业务数据统计口径在报告期发生调整的情况下，公司最近1年按报告期末口径调整后的主营业务数据 □适用 不适用
（3） 公司实物销售收入是否大于劳务收入
是 □否
行业分类 项目 单位2024年2023年 同比增减
MEMS晶圆制造 销售量 片 48,045 33,004 45.57%生产量 片 54,535 35,023 55.71%库存量 片 10,635 4,145 156.57%MEMS工艺开发 销售量 片 3,414 3,217 6.12%生产量 片 3,590 3,448 4.12%相关数据同比发生变动30%以上的原因说明适用 □不适用本报告期，公司 MEMS 晶圆制造销售量、生产量、库存量和 MEMS 工艺开发库存量分别较上年同期增加，主要是由于公司MEMS业务及订单增加，同时因订单增加产生新增待交付晶圆所致。
（4） 公司已签订的重大销售合同、重大采购合同截至本报告期的履行情况 □适用 不适用
（5） 营业成本构成
行业分类
说明：报告期内，MEMS业务是公司的主要业务，因此该部分主要分析其成本构成。
公司需遵守《深圳证券交易所上市公司自律监管指引第4号——创业板行业信息披露》中的“集成电路业务”的披露要求
说明：报告期内，公司MEMS晶圆制造中直接材料增加主要是公司MEMS晶圆制造业务规模增长所致。
（6） 报告期内合并范围是否发生变动
是 □否
为精简股权结构、提高运营管理效率、降低管理成本，公司的全资子公司瑞典 Silex 吸收合并其全资子公司 Silex
Microsystems International AB。2024年11月21日，Silex Microsystems International AB完成了相关登记手续。
（7） 公司报告期内业务、产品或服务发生重大变化或调整有关情况 □适用 不适用
（8） 主要销售客户和主要供应商情况
3、费用
4、研发投入
主要研发项目名称 项目目的 项目进展 拟达到的目标 预计对公司未来发展的影响MEMS硅麦克风制造技术 掌握硅麦克风系统制造方案，以MEMS工艺技术实现小体积、高性能硅麦克风的制造。 推进技术攻关与基础应用研发、推进产品器件制造。已经实现中低端产品的量产，正在开发高端产品。 提高MEMS硅麦克风的工艺开发及晶圆制造水平，服务并满足来自消费电子等领域客户的制造需求。 充分发挥MEMS硅麦克风尺寸小、性能优良、一致性高等特点，促进公司MEMS硅麦克风制造业务的发展。MEMS微压差制造技术 掌握微压差系统制造方案，以MEMS工艺技术实现小体积、高性能微压差产品的制造。 初步技术方案正在客户的终端产品上验证。 基于目前fab的工艺基础，实现微压差产品的大规模量产。 充分发挥MEMS微压差尺寸小、性能优良、一致性高等特点，促进公司MEMS微压差制造业务的发展。MEMS射频滤波器制造技术 掌握适用高频段的体声波（BAW）滤波器的关键制造技术，以MEMS工艺技术实现小体积、高性能滤波器的制造。 继续推进基础单步工艺研发及集成工艺整合。
已实现多个波段以及掺
钪BAW滤波器的量产。2024年实现了双工器、四工器等多款高端滤波器的量产。 形成BAW滤波器的商业化、规模化MEMS工艺开发及晶圆制造能力，服务并满足来自国内滤波器设计厂商的本土制造需求。 继续开辟5G通信市场的新产品领域，促进公司BAW滤波器制造业务的发展。MEMS射频谐振器制造技术 掌握谐振器集成制造技术，以MEMS工艺技术实现小体积、高性能谐振器的制造。 已完成薄膜沉积工艺、薄膜刻蚀工艺研发。正在进行谐振器设计参数提取，支持设计优化。 形成面向滤波器、谐振器的MEMS工艺开发及晶圆制造能力，服务并满足来自设计厂商的制造需求。 继续开辟5G通信市场的新产品领域，促进公司MEMS滤波器、谐振器制造业务的发展。MEMS谐振器制造技术 掌握谐振器集成制造技术，以MEMS工艺技术实现小体积、高性能谐振器的制造。 已建立技术能力，除滤波器外，继续开发针对其他产品的谐振器制造工艺。 形成面向滤波器、振荡器、气体传感器的MEMS工艺开发及晶圆制造能力，服务并满足来自设计厂商的制造需求。 开辟具备巨大市场潜力的新产品领域，促进公司滤波器、振荡器、气体传感器制造业务的发展。MEMS微波前端模块制 掌握微波前端模块的关 已初步研发完成基于 形成面向射频/毫米波 开辟具备市场潜力的造技术 键制造技术，以MEMS工艺技术实现小体积、综合性能微波前端模块的制造。 MEMS工艺的微波/毫米波器件关键制造技术，实现高频前端模块的晶圆级异质异构集成制造。 前端器件、射频/毫米波前端模块的MEMS工艺开发及晶圆制造能力，服务并满足来自设计厂商的制造需求。 6G、太赫兹通信新产品领域，促进公司在高频通信、汽车雷达MEMS器件制造业务的发展。MEMS微波功分器制造技术 掌握高频通信器件的关键制造技术，以MEMS工艺技术实现小体积、高性能微波功分器的制造。 开展了基于MEMS技术的毫米波功分器制造工艺难点攻关；目前已初步掌握两类毫米波功分器（威尔金森、T型功分器）的制造技术。 形成面向高频通信器件的MEMS工艺开发及晶圆制造能力，服务并满足来自设计厂商的制造需求。 开辟具备巨大市场潜力的6G、太赫兹通信产品领域，促进公司高频通信器件制造业务的发展。激光雷达MEMS微振镜制造技术 掌握激光雷达振镜的关键制造技术，以MEMS工艺技术实现激光反射镜与电磁二维驱动器的集成，实现小型化、低成本、高精度微振镜的制造。 已实现车规级产品量产，持续良率提升的相关工艺优化，已经持续迭代新一代产品并顺利进入量产阶段。 形成面向激光雷达振镜的MEMS工艺开发及晶圆制造能力，服务并满足来自设计厂商的制造需求。 开辟具备巨大市场潜力的新产品领域，促进公司微振镜制造业务的发展。MEMS气体传感器芯片制造技术 掌握气体传感器件的关键制造技术，以MEMS工艺技术实现低功耗、高可靠性气体传感器的制造。 已经完成多种结构和多种气体敏感的气体传感器的研制，完成关键单步工艺及集成技术的开发。已实现多款气体传感器的风险生产。目前产品在终端客户处已经在白色家电和工业上实现了应用。 形成面向气体传感器件的MEMS工艺开发及晶圆制造能力，服务并满足来自设计厂商的制造需求。 开辟具备巨大市场潜力的新产品领域，促进公司气体传感器制造业务的发展。MEMS生物芯片制造技术 掌握生物芯片的关键制造技术，以MEMS工艺技术实现硅衬底与玻璃衬底的兼容，实现生物微机电系统的低成本、大批量制造。 部分型号生物芯片产品已实现试产，并针对不同市场需求，进一步迭代工艺，增加产品种类并提高良率。 形成面向生物芯片的MEMS工艺开发及晶圆制造能力，在芯片表面构建微型生物化学分析系统，实现生物基因信息的准确、快速、大量检测，服务并满足来自设计厂商的制造需求。 开辟具备巨大市场潜力的新产品领域，促进公司生物芯片制造业务的发展。MEMS加速度计制造技术 掌握面向第三代惯性器件的低成本制造技术，解决稳定性、可量产性、可迭代性等方面的问题。 部分型号加速度计产品已实现试产，目前正在推进集成工艺整合，提高良率。同时迭代产品，针对消费级市场做新的设计的开发。 提高MEMS惯性传感器的工艺开发及晶圆制造水平，服务并满足来自消费电子领域客户的制造需求。 有利于发挥公司原有技术积累，促进公司MEMS惯性传感器制造业务的发展，带动相关封装测试业务。MEMS惯性IMU制造技术 掌握面向第三代惯性器件的低成本制造技术，解决稳定性、可量产性、可迭代性等方面的问题。 完成了初步的工艺验证，达到可靠性要求，目前正在准备小规模量产的工作。 提高MEMS惯性传感器的工艺开发及晶圆制造水平，服务并满足来自消费电子、工业汽车领域客户的制造需求。 有利于发挥公司原有技术积累，促进公司MEMS惯性传感器制造业务的发展，带动相关封装测试业务。车用MEMS惯性传感制造技术 掌握车用惯性传感器件制备工艺，基于已有经验进一步研发车用MEMS惯性传感器件生产制造工艺。 单步工艺和初步验证已经完成，目前已经敲定量产设计，针对不同的需求正在进行整个流片。 提高MEMS惯性传感器的工艺开发及晶圆制造水平，服务并满足来自消费电子、工业汽车领域客户的制造需求。 有利于发挥公司原有技术积累，促进公司MEMS惯性传感器制造业务的发展。MEMS硅光子通信芯片制造技术 掌握硅光子芯片的关键制造技术，以MEMS工艺技术在芯片上构建高性能光子组件的集成与大规模扩展，实现硅光子芯片的标准化工艺制 继续推进相关技术攻关与基础应用研发。 形成面向硅光子通信芯片的MEMS工艺开发及CMOS晶圆再加工的MEMS制造能力，服务并满足来自设计厂商的制造需求。 开辟具备巨大市场潜力的新产品领域，促进公司硅光子制造业务的发展，为公司增加新的业务增长点。造。MEMS振荡器 掌握MEMS硅基振荡器的关键制造技术，以MEMS工艺技术在硅基晶圆上实现全温频率稳定的振荡器结构，以取代传统的石英振荡器。 初步全流程已经完成，目前正在对关键工艺进行优化，提升性能，为小批量生产做准备。 形成面向硅基振荡器的MEMS工艺研发及晶圆制造能力，服务并满足设计厂商需求，共同促进对传统石英振荡器的替代应用。 开辟时钟类产品新领域，促进公司MEMS振荡器制造业务的发展，为公司增加新的业务增长点，实现该类产品制造的国产替代。MEMS压力传感器芯片制造技术 掌握气体压力传感器件的关键制造技术，以MEMS工艺技术实现高灵敏度，宽检测量程，高可靠性的压力传感器的制造。 已经完成电容式和压阻式压力传感器的研制，完成不同类型传感器的正面和背面工艺开发。
即将进入风险生产阶
段。 形成面向压力传感器件的MEMS工艺开发及晶圆制造能力，服务并满足来自设计厂商的制造需求。 开辟具备巨大市场潜力的新产品领域，促进公司压力传感器制造业务的发展，为公司增加新的业务增长点。MEMS热汽泡喷墨打印制造技术 掌握MEMS热汽泡喷墨打印头的关键制造技术，以MEMS工艺技术在硅基晶圆上实现精准微流控结构，实现新一代喷墨打印技术的产品化。 完成了深刻蚀，镀膜，填充等关键工艺开发，目前正在全流程验证中，后续将进一步提升相关性能及可靠性。 提高MEMS热汽泡喷头的工艺开发及晶圆制造水平，服务并满足来自消费电子、工业汽车领域客户的制造需求。 有利于发挥公司技术积累，开拓新的MEMS应用领域，促进公司相应代工业务发展，为公司增加新的业务增长点。霍尔磁性传感器制造技术 开发工业用霍尔磁性传感器，以实现国产化的高精度的霍尔磁性传感器。 目前正在进行关键单步工艺开发，如注入、刻蚀等，同时全流程的晶圆已经完成流片，目前正在等待客户的测试验证结果。 实现高灵敏度的微压差MEMS传感器的量产，服务满足工业的需求。 发挥公司原有技术积累，促进公司MEMS霍尔传感器制造业务的发展。8英寸硅基GaN制造技术 实现大功率硅基GaN芯片的量产，结合目前Fab的基础工艺，增加部分GaN特色工艺 目前正在进行基本关键工艺开发。 形成面向消费类和工业市场的8英寸硅基GaN芯片的量产。 开辟新的领域，促进公司硅基GaN业务模块的发展，实现该品类的全面发展，为公司增加新的业务增长点。3D电容MEMS器件制造技术 掌握3D电容MEMS产品的关键制造和生产技术，以MEMS工艺为基础实现大容量、小体积3D电容的制造，以取代传统的陶瓷电容。 第一款产品已通过验证，其产品性能达到国际主流品牌同等水平，目前正在开展其余4款新产品的开发。 服务并满足来自消费电子领域客户的制造需求，实现国产3D电容芯片的量产。 有利于发挥公司技术积累，开拓新的MEMS应用领域，促进公司相应代工业务发展，为公司增加新的业务增长点。新型MEMS硅光子器件制造技术 基于已有经验进一步研发针对新型硅光子器件的生产制造工艺。 已实现MEMS-OCS的量产，正结合不同市场的客户需求进行工艺迭代开发。 丰富MEMS硅光子器件工艺开发及晶圆制造能力，服务并满足来自通信、消费电子领域设计厂商的代工需求。 进一步巩固公司在MEMS硅光子器件代工领域的竞争优势，促进公司相应代工业务的发展。新型MEMS医学器件制造技术 基于已有经验进一步研发针对超声、压力、微针、芯片实验室等医学器件的生产制造工艺。 风险生产阶段。 丰富MEMS医学器件工艺开发及晶圆制造能力，服务并满足来生物医疗各细分领域设计厂商的代工需求。 进一步巩固公司在MEMS医疗器件代工领域的竞争优势，促进公司相应代工业务的发展。新型MEMS红外器件制造技术 基于已有经验进一步研发针对新型红外器件的生产制造工艺。 风险生产阶段。 丰富MEMS红外器件工艺开发及晶圆制造能力，服务并满足来自生物医疗、工业汽车领域设计厂商的代工需求。 进一步巩固公司在MEMS红外器件代工领域的竞争优势，促进公司相应代工业务的发展。新型MEMS超声波换能器件制造技术 基于已有经验进一步研发针对新型超声波换能器件的生产制造工艺。 风险生产阶段。 丰富MEMS超声波换能器件（包括电容式CMUT和压电式PMUT）工艺开发及晶圆制造能力，服务并满足来自生物医疗、工业汽车、消费电 进一步巩固公司在MEMS超声波换能器件代工领域的竞争优势，促进公司相应代工业务的发展。子领域设计厂商的代工需求。新型MEMS惯性器件制造技术 基于已有经验进一步研发针对新型惯性器件的生产制造工艺。 风险生产阶段。 丰富MEMS惯性器件（包括加速度计和陀螺仪）工艺开发及晶圆制造能力，服务并满足来自消费电子、工业汽车领域设计厂商的代工需求。 进一步巩固公司在MEMS惯性器件代工领域的竞争优势，促进公司相应代工业务的发展。MEMS气体传感器研发 验证气体传感器全链条的关键技术，开发低功耗高灵敏度的气体传感器。 完成了微加热板制作工艺开发、气敏材料在微加热板上多种沉积方法(点胶、涂敷等)的探索与对比研究、并开展了相应传感器的性能及可靠性测试。 完成与合作单位申请的西城区气体传感器项目，将开发的气体传感器给应用方送样验证。 为其最终实现产业化铺垫基础，推进公司与高校对气体传感器的联合研发和成果转化。MEEMS气体流量开关制造技术 掌握MEMS气体流量开关的关键制造技术，以MEMS工艺技术实现低功耗、高灵敏度的气体流量开关传感器的制造。 已完成器件工艺大流程开发，正在根据客户要求，进一步进行腔体厚度、器件尺寸、量产良率等优化工作。 提高MEMS气体流量开关的工艺开发及晶圆制造水平，服务并满足来自消费电子等领域客户的制造需求。 充分发挥MEMS尺寸小、性能优良、一致性高等特点，促进公司在MEMS气体流量开关制造业务的发展。基于MEMS工艺的微型天线制造技术 基于高频微空腔传输结构技术，研发用于高频通信的微型天线/阵列天线。 数批MEMS微型天线样品制造成功，电性能测试良好；完成第三方测试，结果满足设计要求。目前正进一步设计性能更好的天线。 进一步形成面向高频通信器件的多系列MEMS高频微型天线；服务并满足来自设计厂商对高频微器件的制造需求。 开辟具备巨大市场潜力的5G毫米波、6G＆太赫兹通信产品领域，促进公司高频通信器件制造业务的发展，为公司增加新的业务增长点。高性能氮化镓器件设计及产业化应用 解决目前制约氮化镓器件在服务器、数据中心以及消费电源端产业化应用面临的技术难题。 完成相关项目检查、验收；正朝着推广应用方向推进。 建设高性能氮化镓器件设计平台，开发出具有自主知识产权的氮化镓功率器件和电源模块。 开辟具备巨大市场潜力的新产品领域，促进公司氮化镓器件制造业务的发展，为公司增加新的业务增长点。持续性研发活动-MEMS工艺研发 根据行业发展趋势及客户需求，围绕硅/金属通孔、晶圆键合及深反应离子刻蚀工艺以及压电材料、磁性材料及聚合物材料等进行研发。 持续进行中。 进一步提高MEMS代工领域技术壁垒，巩固竞争优势，不断提高工艺开发及晶圆制造水平。 有利于公司MEMS业务的继续增长。先进MEMS工艺设计与服务（北京市工程研究中心） 开展共性关键单点工艺技术研发、共性关键集成工艺技术研发、MEMS晶圆级生产制造工艺技术研发，推动6寸MEMS产品中试到8寸MEMS产品量产的连贯衔接。 完成所有创新项目任务；完成所有第三方测试，并达到验收技术指标。 搭建先进MEMS工艺研发体系，打造中试公共服务中心，引进吸收国际先进MEMS代工技术，为国家、北京市相关重大战略任务、重点工程提供研发和试验条件，推动重大科技成果在京转化落地。 推动公司MEMS晶圆级生产制造工艺技术研发，提供多品种小批量MEMS工艺定制化服务平台，为公司增加新的业务增长点。MEMS器件晶圆级集成封装制造技术 开展三维多轴MEMS器件的晶圆级集成封装制造技术的研究，建立相应的技术创新平台，以获得大规模三维多轴（多个）异质MEMS器件晶圆级集成封装制造生产能力。 目前已完成D2D、D2W和W2W三维多器件晶圆级集成制造技术研发；
已制造一批3D晶圆样
品。电测试结果表明，基本实现设计指标。 形成MEMS器件及晶圆级集成封装制造能力，服务并满足来自封装客户的制造需求。 开辟公司在MEMS器件及晶圆级集成封装的新业务领域，促进公司相应封装业务的发展。MEMS多高频器件三维晶圆级异质异构集成 开展MEMS多高频器件三维晶圆级异质异构集成 已初步研发成功厚硅高频TSV技术、D2D、W2W 建立公司三维MEMS高频器件晶圆级异质异构 建立又一MEMS高频器件制造平台；拓展公司关键技术开发 关键技术（厚硅高频TSV、晶圆级共晶永久键合等）研发，形成相关晶圆级异质异构集成的成套工艺。 毫米波器件晶圆级集成技术；基本实现设计指标。正根据测试结果，更新优化设计，改善工艺，获取多高频器件的三维晶圆级异质异构集成技术。 集成工艺平台；制备相应的集成样品晶圆。 MEMS相关技术积累，为公司5G+，6G＆太赫兹通讯时代到来，做好相应工艺技术准备。半导体设备销售收入占营业收入比重相对较高。研发投入资本化率大幅变动的原因及其合理性说明□适用 不适用公司需遵守《深圳证券交易所上市公司自律监管指引第4号——创业板行业信息披露》中的“集成电路业务”的披露要求:截至报告期末，公司已注册集成电路商标 14 件；累计拥有/享有集成电路国际/国内软件著作权 27 项，各项集成电路国际/国内专利138项；正在申请的集成电路国际/国内专利144项，具体如下： 1、集成电路商标
2、集成电路软件著作权
3、集成电路专利
4、集成电路专利（正在申请）
一种芯片 2024101149549 发明专利 2024/1/26 原始取得 赛莱克斯北京 中国
86 MEMS 微振镜的导线结构及制备方法、MEMS 微振镜 2024102270920 发明专利 2024/2/29 原始取得 赛莱克斯北京 中国
87 微机电器件的制作方
法、及微机电器件 2024102737139 发明专利 2024/3/11 原始取得 赛莱克斯北京 中国
88 一种电子器件的制备方
法及电子器件 2024102736386 发明专利 2024/3/11 原始取得 赛莱克斯北京 中国
89 MEMS 硅腔的刻蚀装置及刻蚀方法 2024102737891 发明专利 2024/3/11 原始取得 赛莱克斯北京 中国90 一种光刻机的工艺控制方法及光刻机 2024102735877 发明专利 2024/3/11 原始取得 赛莱克斯北京 中国
91 一种晶片膜层表面处理
方法、晶圆的制备方法及晶圆 2024104270770 发明专利 2024/4/10 原始取得 赛莱克斯北京 中国
92 基于聚酰亚胺的光刻工
艺参数确定方法 2024104591428 发明专利 2024/4/17 原始取得 赛莱克斯北京 中国
93 一种电子器件的制备方
法及电子器件 2024108329222 发明专利 2024/6/25 原始取得 赛莱克斯北京 中国
94 一种平板电容器及其制
作方法 2024108234167 发明专利 2024/6/25 原始取得 赛莱克斯北京 中国
95 一种晶圆的键合切边方
法及键合晶圆 2024104844347 发明专利 2024/6/26 原始取得 赛莱克斯北京 中国
96 高灵敏度嵌套轮环单片
三轴MEMS陀螺芯片 2024108125564 发明专利 2024/6/22 原始取得 中北大学、北京理工大学重庆微电子研究院、赛莱克斯北京 中国
97 全解耦四质量对称单片
三轴MEMS陀螺芯片 2024108125899 发明专利 2024/6/22 原始取得 中北大学、北京理工大学重庆微电子研究院、赛莱克斯北京 中国98 MEMS芯片的制备方法 2024108634352 发明专利 2024/6/29 原始取得 赛莱克斯北京 中国
99 一种电子器件的制备方
法及电子器件 2024112907850 发明专利 2024/9/14 原始取得 赛莱克斯北京 中国
100 一种电子器件的制备方法及电子器件 2024112909165 发明专利 2024/9/14 原始取得 赛莱克斯北京 中国101 一种晶圆腔体制备方法及晶圆 2024113081814 发明专利 2024/9/19 原始取得 赛莱克斯北京 中国102 一种晶圆加工工装 2024113113105 发明专利 2024/9/20 原始取得 赛莱克斯北京 中国103 一种图形化的方法及晶圆掩膜版 2024114118784 发明专利 2024/10/11 原始取得 赛莱克斯北京 中国104 一种均匀分布应力的多晶硅薄膜的制备方法 2024114130023 发明专利 2024/10/11 原始取得 赛莱克斯北京 中国105 一种电子器件的制备方法及电子器件 2024114179538 发明专利 2024/10/11 原始取得 赛莱克斯北京 中国106 多晶硅薄膜沉积设备、制备方法及微机电器件 2024114496580 发明专利 2024/10/17 原始取得 赛莱克斯北京 中国107 晶片退火装置及晶片退火工艺方法 202411550464X 发明专利 2024/11/1 原始取得 赛莱克斯北京 中国108 芯片 ID 版图的确定方法、装置、设备及存储介质 2024116985238 发明专利 2024/11/26 原始取得 赛莱克斯北京 中国109 导电结构制备方法、导电结构及微机电系统 2024119436302 发明专利 2024/12/27 原始取得 赛莱克斯北京 中国110 硅通孔晶圆的制造方法以及半导体制造方法 2024119435193 发明专利 2024/12/27 原始取得 赛莱克斯北京 中国111 一种微系统薄膜平坦化方法 202210369690.2 发明专利 2022/4/8 原始取得 海创微芯 中国112 固态装配型谐振器的制造方法 202210369691.7 发明专利 2022/4/8 原始取得 海创微芯 中国113 一种芯片散热装置及制作方法 202210635663.5 发明专利 2022/6/6 原始取得 海创微芯 中国114 一种MEMS换能器及制作方法 202210673722.8 发明专利 2022/6/15 原始取得 海创微芯 中国115 厚胶光刻方法及微结构器件 202210773248.6 发明专利 2022/7/1 原始取得 海创微芯 中国116 一种MEMS微同轴功分器及天线阵列 2022115591193 发明专利 2022/12/6 原始取得 海创微芯 中国117 一种光刻胶显影方法 2022115785733 发明专利 2022/12/9 原始取得 海创微芯 中国118 一种微同轴结构、制备方法及电子机械器件 2022116271991 发明专利 2022/12/16 原始取得 海创微芯 中国119 一种氮化镓晶体管 202310822381.0 发明专利 2023/7/5 原始取得 海创微芯 中国120 一种氮化镓晶体管动态导通电阻测试电路及测试方法 202310834223.7 发明专利 2023/7/7 原始取得 海创微芯 中国121 一种集成氮化镓及驱动系统的封装结构及电路组件 202311029800.1 发明专利 2023/8/16 原始取得 海创微芯 中国122 一种通孔结构的填充方法、及通孔结构 202410050668.0 发明专利 2024/1/12 原始取得 海创微芯 中国123 一种半导体器件的制备方法及半导体器件 202410130841.8 发明专利 2024/1/30 原始取得 海创微芯 中国124 微同轴传输结构、制备方法及电子器件 202411452079.1 发明专利 2025/1/17 原始取得 海创微芯 中国125 一种射频芯片与天线的一体化封装结构 2024111389267 发明专利 2024/8/19 原始取得 赛莱克斯国际 中国126 一种差分传输结构及其组合产品 202411195639X 发明专利 2024/8/29 原始取得 赛莱克斯国际 中国127 一种差分传输结构的制备方法 2024111956968 发明专利 2024/8/29 原始取得 赛莱克斯国际 中国128 一种可重构的芯片到晶圆的键合方法及器件芯片 2024112220256 发明专利 2024/9/2 原始取得 赛莱克斯国际 中国129 一种高频集成 PCB 板及制备方法 2024112386868 发明专利 2024/9/5 原始取得 赛莱克斯国际 中国130 一种晶圆的对准系统、对准方法及键合方法 2024112829993 发明专利 2024/9/13 原始取得 赛莱克斯国际 中国131 一种晶圆的互联结构及其制造方法 2024112896235 发明专利 2024/9/14 原始取得 赛莱克斯国际 中国132 一种用于垂直互联晶圆的方法 202411289511X 发明专利 2024/9/14 原始取得 赛莱克斯国际 中国133 器件制备方法 2024113036433 发明专利 2024/9/19 原始取得 赛莱克斯国际 中国134 曝光焦距确定方法 2024114903252 发明专利 2024/10/24 原始取得 赛莱克斯国际 中国135 印刷电路板及其制备方法 2024115068960 发明专利 2024/10/28 原始取得 赛莱克斯国际 中国136 一种硅转接板的制备方法、及硅转接板 202311830554X 发明专利 2023/12/28 原始取得 赛微电子 中国137 基于硅通孔技术的功分器 2024101037488 发明专利 2024/01/25 原始取得 赛微电子 中国138 毫米波传输线的制造方法 2024101149248 发明专利 2024/01/26 原始取得 赛微电子 中国139 基于空气芯微同轴的皮肤癌检测器及其制造方法 2024101166489 发明专利 2024/01/26 原始取得 赛微电子 中国140 一种硅基衬底刻蚀方法及电子器件 202410121690X 发明专利 2024/01/29 原始取得 赛微电子 中国141 声表面波谐振器及其制备方法 2024105169876 发明专利 2024/04/28 原始取得 赛微电子 中国142 一种同轴电缆、同轴电缆的制造方法及传感器 2024111963340 发明专利 2024/08/29 原始取得 赛微电子 中国143 一种三维互连传输线及制备方法 202411238636X 发明专利 2024/09/05 原始取得 赛微电子 中国144 一种微同轴结构及制备方法 2024112486974 发明专利 2024/09/06 原始取得 赛微电子 中国
5、现金流
1、本报告期，公司经营活动产生的现金流量净额较上年同期增加 146.27%，主要是因公司经营活动中销售商品收到的现金
及收到税费返还较上年同期增加所致；
2、本报告期，公司投资活动产生的现金流量净额较上年同期变动 38.82%，主要是因公司投资支付的现金及取得子公司及
其他营业单位支付的现金净额较上年同期减少所致；
3、本报告期，公司筹资活动产生的现金流量净额较上年同期减少 128.68%，主要是因公司本年取得借款收到的现金较上年
同期减少同时偿还债务支付的现金较上年同期增加所致；
4、本报告期，公司现金及现金等价物净增加额较上年同期变动41.17%，为以上因素共同作用的综合结果。
报告期内公司经营活动产生的现金净流量与本年度净利润存在重大差异的原因说明 适用 □不适用
报告期内公司经营活动产生的现金净流量为 355,594,512.77元，本年度净利润为-255,255,953.51元，两者差异610,850,466.28元：①影响净利润但不涉及经营活动现金流量的经营性项目：此部分导致公司净利润较现金流减少合计255,754,990.44元，主要为资产减值损失、信用减值损失、资产折旧与摊销、存货增加等； ②影响净利润但不涉及经营活动现金流量的非经营性项目：此部分导致公司净利润较现金流减少合计 10,682,200.61元，主要为投资收益、财务费用支出等；③不影响净利润但涉及经营活动现金流量的经营性项目：此部分导致公司经营活动产生的现金净流量增加合计344,413,275.23元，主要为经营性应收项目的减少、经营性应付项目的增加、递延收益增加等。
五、非主营业务情况
适用 □不适用
营公司股权收益所致。 否，主要受长期股权投资的权益变动影响。价准备所致。 否，公司仍将严格按照相关会计准则及会计政策对公司资产进行减值测试，谨慎客观地反映资产情况。营业外收入 17,831.53 -0.01% 主要因报告期取得非经营性收入所致。 否，非经营性收入不具有可持续性。营业外支出 6,066.51 0.00% 主要因报告期产生非流动资产毁损报废损失所致。 否，相关支出受当年实际经营环境及资产状况影响。其他收益 28,984,462.23 -11.40% 主要因与日常活动相关的政府补助产生。 否，能否获得政府补助需要根据相关政策及管理部门审批。信用减值损失 -44,365,715.61 17.45% 主要因报告期计提坏账准备所致。 否，公司仍将严格按照相关会计准则及会计政策对公司资产进行减值测试，谨慎客观地反映资产情况。资产处置收益 2,032,516.51 -0.80% 主要因报告期处置非流动资产产生收益所致。 否，相关收益受公司资产状况影响。
六、资产及负债状况分析
1、资产构成重大变动情况
照合同实际履约
情况确认所致。
投资性房地产 0.00% 0.00% 0.00% 无变动。
所致。
长，预收款项增加所致。所致。至一年内到期非流动负债所致。衍生金融资产 7,101,460.29 0.10% 0.00% 0.10% 主要因报告期远期外汇合约等衍生金融工具公允价值变动所致。垫付款所致。其他权益工具投增加所致。所致。增加所致。设备得到陆续交付所致。生金融工具公允价值变动所致。应付票据 6,249,110.00 0.09% 0.00% 0.09% 主要因报告期本公司子公司使用银行承兑汇票结算货款导致。加所致。和应付项目补助款减少及限制性股票回购完成所致。致。加所致。增加所致。购注销所致。等所致。境外资产占比较高适用 □不适用资产的具体内容 形成原因 资产规模 所在地 运营模式 保障资产安全性的控制措施 收益状况 境外资产占公司净资产的比重 是否存在重大减值风险全资子公司瑞典Silex 因重大资产重组所形成 914,938,508尔摩 "工艺开发+代工生产" 公司治理、定期沟通及 良好 16.98% 否间接控制的境外子公司 集团管控其他情况说明 公司全资子公司瑞典Silex是全球领先的纯MEMS代工企业，2016年公司收购完成后，其一直良好运营。
2、以公允价值计量的资产和负债
适用 □不适用
其他变动主要包含报告期内外币折算差额、衍生金融资产和衍生金融负债的重分类等。
报告期内公司主要资产计量属性是否发生重大变化
□是 否
3、截至报告期末的资产权利受限情况
截至报告期末，公司权利受限的资产主要包括受限的银行信用证保证金金额77万元；通过融资租赁方式买入的产线机
器设备期末账面价值 49,732.54万元；用于借款抵押的固定资产期末账面价值 20,888.03万元，用于借款抵押的无形资产期末账面价值9,493.74万元。
七、投资状况分析
1、总体情况
适用 □不适用
公司在报告期内涉及的重大投资项目，主要是境内外产线的产能扩充（相应的设备采购），相关投资随业务订单及产
能扩充需求处于持续发生状态，境内北京 FAB3 的资金来源于自有及自筹资金，境外瑞典 FAB1＆FAB2 的资金来源于日常经营所得。该等投资有利于公司提高半导体代工服务能力、促进公司半导体代工业务的发展。
2、报告期内获取的重大的股权投资情况
3、报告期内正在进行的重大的非股权投资情况
适用 □不适用
4、金融资产投资
（1） 证券投资情况
□适用 不适用
公司报告期不存在证券投资。
（2） 衍生品投资情况
适用 □不适用
1） 报告期内以套期保值为目的的衍生品投资
适用 □不适用核算具体原则，以及报告期公司衍生品的会计政策及会计核算具体原则上与上一报告期相比未发生重大变化。与上一报告期相比是否发生重大变化的说明对公司本期实际损益影响金额较小。的说明套期保值效果的说明 实现了套期保值目的。衍生品投资资金来源 经营活动形成的自有资金。
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